ゾルゲル・硫化法によるCu_2ZnSnS_4薄膜太陽電池の作製と評価(薄膜プロセス・材料,一般)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
Cu_2ZnSnS_4(以下CZTS)薄膜をゾルゲル法でプリカーサを作製した後に硫化を行って作製した。ゾルゲル溶液には発電効率の良いとされているCu poor,Zn rich(Cu/(Zn+Sn)=0.87,Zn/Sn=1.15)の金属組成比を用い、金属濃度には0.35Mと1.75Mを用いた。これは金属濃度の薄い溶液の後に濃い溶液をコートすることで、Mo基板とCZTS薄膜の付着性の向上を図ったためである。CZTS薄膜をMo基板上に堆積させた後、CdS界面層とZnO: Al窓層をそれぞれ化学溶液堆積法とゾルゲル法で堆積し、非真空下でCZTS薄膜太陽電池を作製した。AM15、100mW/cm^2のソーラーシミュレータの条件下で、短絡電流2.1mA/cm^2、開放電圧0.49V、曲線因子F.F.0.23、変換効率0.24%を得た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-11-09
著者
-
田中 久仁彦
長岡技術科学大学
-
大貫 雅俊
長岡技術科学大学
-
森竹 典子
長岡技術科学大学
-
打木 久雄
長岡技術科学大学
-
打木 久雄
長岡技術科学大学電気電子情報工学専攻
-
田中 久仁彦
長岡技術科学大学電気電子情報工学専攻
関連論文
- Cu_2ZnSnS_4のバルク単結晶とゾル-ゲル・硫化法で作製した薄膜の光学特性(薄膜プロセス・材料,一般)
- 走査プローブ加工法による超短ギャップ光導電スイッチの試作
- PLD法によるEuGa_2S_4薄膜の作製と評価(薄膜プロセス・材料,一般)
- Sn添加CaAl_2S_4の光学特性(薄膜プロセス・材料,一般)
- PCD法によるCu_2ZnSnS_4を用いたの3Dセル構造の作製(薄膜プロセス・材料,一般)
- ゾルゲル・硫化法によるCu_2ZnSnS_4薄膜太陽電池の作製と評価(薄膜プロセス・材料,一般)
- RFプラズマ堆積法により作製した有機薄膜の電気的特性・光学的特性(薄膜プロセス・材料,一般)
- a-C:H膜における光照射効果のXPSによる評価
- 非真空プロセスによるCuZnSnS薄膜太陽電池の作製 : 窓層堆積条件の検討による効率の改善 (電子部品・材料)
- 塩素フリー溶液を用いたゾルゲル・硫化法によるCu_2ZnSnS_4薄膜の作製(薄膜プロセス・材料,一般)
- 非真空プロセスによるCu_2ZnSnS_4薄膜太陽電池の作製 : 窓層堆積条件の検討による効率の改善(薄膜プロセス・材料,一般)
- Cu_2ZnSnS_4を用いた三次元構造太陽電池の作製(薄膜プロセス・材料,一般)