走査型プローブ顕微鏡(SPM)を用いた室温動作単電子トランジスタの開発
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概要
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走査型トンネル顕微鏡(STM)や原子間力顕微鏡(AFM)等の走査型プローブ顕微鏡(SPM)の探針を陰極とし、陽極酸化反応により金属極薄膜への選択酸化を行う新しい超微細加工プロセスであるSPM超微細酸化法を金属/絶縁体系電子素子作製技術として提案した。実際に本手法をチタン(Ti)、ニオブ(Nb)極薄膜への表面修飾に適用した。得られた構造物はTi及びNbの酸化物であることがオージェ電子分光法や金属(Metal)/絶縁体(Insulator)/金属(Metal)構造のプレナー型MIMダイオード特性から明らかとなった。また、条件を最適化することで、10nmオーダーの金属酸化物細線の形成に成功した。更に本手法を単一電子トランジスタ(SET)の作製に応用した結果、Ti/酸化Ti系、及びNb/酸化Nb系SETにおいて室温での単一電子帯電効果を確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-14
著者
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