走査プローブ加工法による100nmギャップ超高速光導電スイッチ
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概要
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走査プロー加工技術を用いることにより、100nmギャップの光導電スイッチの試作を行い、高速特性を電気光学サンプリング法により評価した。素子の作製においては、GaAs基板上に蒸着された4nm厚のチタン薄膜を、走査プローブにより陽極酸化することにより、100nmギャップの受光部の形成と電極間絶縁層の形成を同時に行った。電極間に形成された酸化チタンは絶縁体であるだけでなく、可視光に対して透明である。素子のパルス応答を測定したところ、出力パルス幅380fsの結果を得た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-06-22
著者
-
板谷 太郎
電子技術総合研究所 電子デバイス部
-
中川 格
電子技術総合研究所
-
杉山 佳延
電総研
-
杉山 佳延
電子技術総合研究所
-
太田 公廣
電子技術総合研究所
-
松本 和彦
電子技術総合研究所
-
板谷 太郎
電子技術総合研究所
-
太田 公広
電子技術総合研究所
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