高濃度ドープp-GaAsの縦光学フォノンープラズモン結合モードによるラマン散乱機構
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概要
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Polarized Raman spectra on heavily Be-doped p-GaAs have been measured in a hole density range from 3.5 × 10<SUP>18</SUP> to 2.9 × 10 cm<SUP>-3</SUP>. The dominant Raman scattering mechanisms by the coupled longitudinal optical phonon-hole-plasmon modes are shown to be the deformation potential mechanism (u) and the electro-optic mechanism (E). The charge density fluctuation mechanism is prodicted to be 600 times weaker than the previous two mechanisms.
- 社団法人 日本分光学会の論文
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