レーザラマン分光法によるシリコン単結晶の応力評価
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概要
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The Raman spectrum of silicon that is applied undaxial stress in several directions are observed by micro Raman spectroscopy in order to relate the measured Raman shift to the local stress present In the silicon single crystal. From polarization selection rules, we can selectively observe scattering by optical phonons in Si and determine the stress using the theory of stress effects on optical phonons. If the Raman experiments are performed in backscattering mode on {100} silicon wafers, only σ_<XX>+σ_<YY> are derived theoretically. In our measurements, the uniaxial stress was applied to the samples which were oriented three different directions. The results of calculation from measured Raman shift are good agreement with applied stress. The ability of this technique is confirmed.
- 1999-10-25
著者
-
大久保 優晴
日本分光(株)
-
新津 靖
東京電機大学
-
池田 照樹
日本分光(株)第一技術部
-
池田 照樹
日本分光(株)
-
池邊 朋
エプソン
-
鈴木 栄一
三菱マテリアル(株)
-
大久保 優晴
日本分光株式会社
-
池邊 朋
東京電機大学大学院
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