赤外線レーザ光弾性法によるGaAsウエハの残留応力評価
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概要
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We developed an apparatus to measure the optical birefringences in commercial LEC-grown GaAs (100) wafers by using a photoelastic modulator and a polarized laser. A He-Ne infrared laser was utilized as the light source for measurements of strain-induced birefringence in the GaAs wafers. The residual strain and stress components were calculated from the experimental results. The residual stress profiles have been evaluated to explain the correlation between the residual stress and thermal-stress-induced dislocation. From the experimental results, it is found that the residual stress evaluation of GaAs wafers will be available with our measurement.
- 1999-10-25
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