太田 公廣 | 電子技術総合研究所

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概要

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• 太田 公廣

  電子技術総合研究所

• 板谷 太郎

  電子技術総合研究所 電子デバイス部

• 中川 格

  電子技術総合研究所

• 板谷 太郎

  電子技術総合研究所

• 太田 公広

  電子技術総合研究所

• 杉山 佳延

  電総研

• 杉山 佳延

  電子技術総合研究所

• 鹿野 文久

  小山工業高等専門学校

• 小島 猛

  電子技術総合研究所

• 松本 和彦

  電子技術総合研究所

• 小島 猛

  電総研

• 鹿野 文久

  小山高専

• 太田 公廣

  電総研

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著作論文

• 走査プローブ加工法による100nmギャップ超高速光導電スイッチ
• 電気光学サンプリング法による進行方向電界の評価
• 電気光学サンプリング法による電界成分の測定
• EOサンプリング法によるフェムト秒電気パルス測定における電界クロストーク
• RHEED振動でみるGaAs(001)面微傾斜上におけるAs取り込み成長 : エピタキシーI
• 産学官プロジェクトとシミュレーション
• 30p-YA-5 赤外分光法と/ミリ波領域の課題 : THz電磁波のフェムト秒分光と産業/通信分野での応用
• 半導体エピタキシャル成長のモニタと制御(アトミックルールプロセス)
• B.A.Joyce : The Evaluation of Growth Dynamics in MBE Using Electron Diffraction

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