中川 格 | 電子技術総合研究所
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概要
関連著者
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中川 格
電子技術総合研究所
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板谷 太郎
電子技術総合研究所
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板谷 太郎
電子技術総合研究所 電子デバイス部
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杉山 佳延
電総研
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杉山 佳延
電子技術総合研究所
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菅谷 武芳
電総研
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菅谷 武芳
電子技術総合研究所:科学技術振興事業団、戦略的基礎研究推進事業(crest)
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菅谷 武芳
電子技術総合研究所
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太田 公廣
電子技術総合研究所
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太田 公広
電子技術総合研究所
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米井 健治
芝浦工大
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小倉 睦郎
電子技術総合研究所
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米井 健治
芝浦工業大学
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田沼 保彦
芝浦工業大学
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小倉 睦郎
独立行政法人産業技術総合研究所
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松本 和彦
電子技術総合研究所
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鹿野 文久
小山工業高等専門学校
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小倉 睦郎
電子技術総合研究所:科学技術振興事業団、戦略的基礎研究推進事業(crest)
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関口 隆史
独立行政法人 物質・材料研究機構
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関口 隆史
物材機構
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関口 隆史
物材研
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関口 隆史
東北大理
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関口 隆史
金属材料研究所
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関口 隆史
物質・材料研究機構ナノマテリアル研究所
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関口 隆史
東北大学
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高田 英行
産業技術総合研究所
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張 志剛
NEDO
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高田 英行
独立行政法人 産業技術総合研究所
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鳥塚 健二
電総研
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鳥塚 健二
産業技術総合研究所光技術研究部門
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関口 隆史
物質・材料研究機構半導体材料センター
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高田 英行
産業技術総合研
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阪東 寛
産総研
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武藤 俊一
北海道大学大学院工学研究科
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日高 建彦
湘南工科大学
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諸橋 功
産総研、crest-jst
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阪東 寛
電子技術総合研究所
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伊藤 弘昌
東北大学電気通信研究所
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中川 格
電総研
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瀬川 勇三郎
理研CMRG
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猿倉 信彦
理化学研究所フォトダイナミクス研究センター
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瀬川 勇三郎
理化学研究所フォトダイナミクス研究センター
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LIU Zhenlin
理研フォトダイナミクス研究センター
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横山 直樹
(株)富士通研究所
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横山 直樹
富士通株式会社
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粟野 祐二
富士通研
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劉 振林
分子科学研究所
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金 成珍
電子技術総合研究所:nedo:戦略基礎研究科技団
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伊藤 弘昌
理化学研究所フォトダイナミクスセンタ:東北大学電気通信研究所
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小林 克行
フェムト秒テクノロジー研究機構
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小森 和弘
産業技術総合研究所
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小森 和弘
産総研、CREST-JST
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諸橋 功
湘南工科大学工学部
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小森 和弘
電子技術総合研究所
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LIU Zhenlin
岡崎国立共同研究機構 分子科学研究所
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打木 久雄
長岡技術科学大学
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武藤 俊一
北海道大学工学部
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粟野 祐二
富士通株式会社
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クリストフ ウィルナー
富士通株式会社
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武藤 俊一
北海道大学 大学院工学研究科 量子物理工学専攻
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横山 直樹
ナノテクノロジー研究センター株式会社富士通研究所
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小滝 裕一
長岡技術科学大学
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和泉田 真司
理化学研究所 フォトダイナミクス研究センター
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高橋 和直
理化学研究所 フォトダイナミクス研究センター
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劉 成有
理化学研究所 フォトダイナミクス研究センター
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劉 振林
理化学研究所 フォトダイナミクス研究センター
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疋田 朋幸
理化学研究所 フォトダイナミクス研究センター
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鹿野 文久
小山高専
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吉川 英樹
芝浦工業大学大学
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瀬川 勇三郎
理化学研究所
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和泉田 真司
分子研
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瀬川 勇三郎
Photodynamics Research Center The Institute Of Physical And Chemical Research (riken)
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阪東 寛
産業技術総合研
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LIU Zhenlin
理化学研究所フォトダイナミクス研究センター
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鳥塚 健二
電子技術総合研究所
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張 志剛
フェムト秒テクノロジー研究機構
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高田 英行
電子技術総合研究所
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板谷 太郎
電総研電子デバイス部
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中川 格
電総研電子デバイス部
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鳥塚 健二
工業技術院電子技術総合研究所
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高田 英行
工業技術院電子技術総合研究所
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欠端 雅之
工業技術院電子技術総合研究所
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板谷 太郎
工業技術院電子技術総合研究所
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菅谷 武芳
工業技術院電子技術総合研究所
-
中川 格
工業技術院電子技術総合研究所
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張志 剛
新エネルギー・産業技術総合開発機構
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小林 克行
研究組合フェムト秒テクノロジー研究機構
-
欠端 雅之
産業技術総合研究所光技術研究部門
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和泉田 伸司
分子研
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鳥塚 健二
独立行政法人産業技術総合研究所 光技術部門 超短パルスレーザーグループ
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日高 建彦
湘南工科大
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猿倉 信彦
理化学研究所フォトダイナミクス研究センタ-
著作論文
- 強誘電体PVDFをクラッディング材とする可とう性テラヘルツ帯中空導波路
- 量子箱におけるフォノン散乱抑制への期待
- III族原子表面拡散制御MBEによるInGaAs量子細線の作製
- C-10-17 負性抵抗InGaAs量子細線FET
- 走査プローブ加工法による超短ギャップ光導電スイッチの試作
- 半導体非線形ミラーによるGHz高繰り返しモード同期固体レーザー
- 走査プローブ加工法による100nmギャップ超高速光導電スイッチ
- 電気光学サンプリング法による進行方向電界の評価
- 電気光学サンプリング法による電界成分の測定
- III族原子表面拡散制御MBEによるInGaAs量子細線の作製
- 薄膜光吸収層を持つ微細光導電スイッチの試作
- SC-4-2 半導体可飽和吸収ミラーによるモード同期制御
- 超高速光導電スイッチの作製とテラヘルツ電磁波
- 電気光学サンプリングによる電界成分測定
- フェムト秒光パルス発生技術の現状と課題
- 電気光学サンプリング法によるフェムト秒電気信号の評価
- EOサンプリング法によるフェムト秒電気パルス測定における電界クロストーク
- 1p-TB-4 三重障壁構造による共鳴電流の観測