電気光学サンプリング法によるフェムト秒電気信号の評価
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
我々は、光導電スイッチに超短光パルスを入射することによりフェムト秒電気信号を発生させ、電気光学サンプリング法により素子特性を評価してきた。本講演では、100GHzを越える動作性能を持つと期待される各種高速デバイスの研究開発に必要な計測技術と信号発生技術について議論するとともに、我々がこれまで行ってきた、微細加工技術を適用して作製した光導電スイッチと、2つの電界ベクトル成分を計測可能とする電気光学サンプリングシステムについて紹介する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-09-18
著者
関連論文
- CLEO/QELS'99報告
- CLEO/QELS'99報告
- CLEO/QELS'99報告
- CLEO/QELS'99報告
- 強誘電体PVDFをクラッディング材とする可とう性テラヘルツ帯中空導波路
- 量子箱におけるフォノン散乱抑制への期待
- III族原子表面拡散制御MBEによるInGaAs量子細線の作製
- C-10-17 負性抵抗InGaAs量子細線FET
- 走査プローブ加工法による超短ギャップ光導電スイッチの試作
- 半導体非線形ミラーによるGHz高繰り返しモード同期固体レーザー
- 走査プローブ加工法による100nmギャップ超高速光導電スイッチ
- 電気光学サンプリング法による進行方向電界の評価
- 電気光学サンプリング法による電界成分の測定
- 1.5μm帯可飽和吸収有機材料
- III族原子表面拡散制御MBEによるInGaAs量子細線の作製
- 薄膜光吸収層を持つ微細光導電スイッチの試作
- 1.5μm帯可飽和吸収有機材料
- SC-4-2 半導体可飽和吸収ミラーによるモード同期制御
- 超高速光導電スイッチの作製とテラヘルツ電磁波
- 電気光学サンプリングによる電界成分測定
- フェムト秒光パルス発生技術の現状と課題
- 電気光学サンプリング法によるフェムト秒電気信号の評価
- EOサンプリング法によるフェムト秒電気パルス測定における電界クロストーク
- 1p-TB-4 三重障壁構造による共鳴電流の観測
- 28a-YB-2 フェムト秒モード同期レーザー共振器内に置かれたSBRを用いた全固体テラヘルツ放射源の製作
- 波長1.3μmにおけるフェムト秒光パルス発生
- フェムト秒パルスレーザーを用いた光導電スイッチ中における非線形光電流に関する研究