小倉 睦郎 | 電子技術総合研究所
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概要
関連著者
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小倉 睦郎
電子技術総合研究所
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小倉 睦郎
電子技術総合研究所:科学技術振興事業団、戦略的基礎研究推進事業(crest)
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小倉 睦郎
独立行政法人産業技術総合研究所
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小倉 睦郎
電総研
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小倉 睦郎
産業技術総合研究所
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王 学論
電総研
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王 学論
産業技術総合研究所
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王 学論
電子技術総合研究所電子デバイス部
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菅谷 武芳
電総研
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杉山 佳延
電総研
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杉山 佳延
電子技術総合研究所
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菅谷 武芳
電子技術総合研究所
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菅谷 武芳
電子技術総合研究所:科学技術振興事業団、戦略的基礎研究推進事業(crest)
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松畑 洋文
電総研
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松畑 洋文
産業技術総合研究所
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松畑 洋文
電子技術総合研究所
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関口 隆史
独立行政法人 物質・材料研究機構
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関口 隆史
物材機構
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米井 健治
芝浦工大
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関口 隆史
物材研
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関口 隆史
東北大理
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関口 隆史
金属材料研究所
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関口 隆史
物質・材料研究機構ナノマテリアル研究所
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米井 健治
芝浦工業大学
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関口 隆史
物質・材料研究機構半導体材料センター
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中川 格
電子技術総合研究所
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金 成珍
電子技術総合研究所:nedo:戦略基礎研究科技団
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清水 俊行
芝浦工業大学
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松本 和幸
芝浦工業大学
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張 起連
科学技術振興事業団
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田沼 保彦
芝浦工業大学
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関口 隆史
東北大学
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張 起連
科学技術振興事業団:科学技術振興事業団、戦略的基礎研究推進事業(crest)
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松本 和幸
芝浦工業大学:科学技術振興事業団、戦略的基礎研究推進事業(crest)
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清水 三聡
電総研
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金 秦根
電子技術総合研究所
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小森 和宏
電子技術総合研究所
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彦坂 憲宣
科学技術振興事業団
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清水 三聡
電子技術総合研究所
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鈴木 克弘
電子技術総合研究所
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Voliotis V.
Groupe de Physique des Solides, CNRS
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Grousson R.
Groupe de Physique des Solides, CNRS
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Voliotis V.
Groupe De Physique Des Solides Cnrs Universites Paris 6 Et Paris 72 Place Jussieu
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Grousson R.
Groupe De Physique Des Solides Cnrs Universites Paris 6 Et Paris 72 Place Jussieu
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金 秦根
電子技術総合研究所:新エネルギー開発機構
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関口 隆史
物質・材料研究機構
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多田 哲也
産業技術融合領域研究所
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関口 隆史
東北大・金研
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関口 隆史
物質・材料研究機構半導体材料センターグループ
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菅谷 武芳
科技団
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杉山 佳延
科技団
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森 雅彦
産業技術総合研究所 光技術研究部門
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関口 隆史
Nims
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森 雅彦
電子技術総合研究所
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吉澤 明男
電子技術総合研究所
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吉澤 明男
電総研
著作論文
- InP(311)A段差基板上へ成長したトレンチ型InGaAs量子細線FETの負性抵抗
- III族原子表面拡散制御MBEによるInGaAs量子細線の作製
- InGaAs量子細線FETから明瞭な負性抵抗の観察
- C-10-17 負性抵抗InGaAs量子細線FET
- III族原子表面拡散制御MBEによるInGaAs量子細線の作製
- 表面マイグレーション制御自己停止成長特性の基板形状依存性
- 表面マイグレーション制御自己停止成長特性の基板形状依存性
- 表面マイグレーション制御自己停止成長によるAlGaAs/GaAs量子細線の原子層制御作製
- 表面マイグレーション制御自己停止成長によるAlGaAs/GaAs量子細線の原子層制御作製
- V溝基板上成長AlGaAs/GaAs量子細線超格子の光学特性
- InP(311)A段差基板上へ成長したトレンチ型InGaAs量子細線FETの負性抵抗
- InGaAs量子細線FETから明瞭な負性抵抗の観察
- 一回選択MOCVD法により成長した量子井戸構造の評価 : シュタルク効果の測定
- 流量変調法による量子細線レーザの基底レベル発振
- 流量変調法による量子細線レーザの基底レベル発振
- 原子間力顕微鏡および顕微ホトルミネセンスによるV溝形AlGaAs/GaAs量子細線の界面ラフネス評価
- 原子間力顕微鏡および顕微ホトルミネセンスによるV溝形AlGaAs/GaAs量子細線の界面ラフネス評価
- 流量変調エピタキシー法を用いたAlGaAs/GaAs量子細線の作製とその光学特性