V溝基板上成長AlGaAs/GaAs量子細線超格子の光学特性
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概要
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流量変調エピタキシーによるV溝基板上への均一なAlGaAs/GaAs量子細線超格子の作製法を開発した。作製したAlGaAs(90Å)/GaAs(45Å)の超格子から低温において単一量子細線より4桁以上も強い高次のサブバンドの発光を観測した。また、超格子の基底準位発光ピークの長波長側に高次サブバンドピークのフォノンレプリカと思われる発光ピークも観測された。さらに、超格子の基底準位発光ピークは単一量子細線の基底準位ピークより4倍近くも長い発光寿命を示した。これらの結果から、量子細線超格子において第1と第2サブバンド間で強いフォノン共鳴が起こっていて、これによってキャリアの緩和過程および発光遷移確率が著しく変わったことが考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-10-11
著者
-
松畑 洋文
電総研
-
多田 哲也
産業技術融合領域研究所
-
松畑 洋文
産業技術総合研究所
-
小倉 睦郎
電総研
-
小倉 睦郎
電子技術総合研究所
-
小倉 睦郎
産業技術総合研究所
-
王 学論
電総研
-
松畑 洋文
電子技術総合研究所
-
王 学論
産業技術総合研究所
-
王 学論
電子技術総合研究所電子デバイス部
-
小倉 睦郎
電子技術総合研究所:科学技術振興事業団、戦略的基礎研究推進事業(crest)
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