24aYF-7 低角入射による表面近傍の構造に敏感な放射光トポグラフ法による4H-SiCの格子欠陥の観察(格子欠陥・ナノ構造(力学物性・転位),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2008-02-29

著者

• 山口 博隆

  産総研

• 山口 博隆

  産総研エレクトロニクス

• 松畑 洋文

  産業技術総合研究所

• 松畑 洋文

  産総研

• 山口 博隆

  産業技術総合研究所

• 大野 俊之

  日立中研

• 大野 俊之

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