表面マイグレーション制御自己停止成長特性の基板形状依存性
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概要
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流量変調エピタキシーを用いたV溝基板上へのGaAsの成長において観測された成長の自己停止現象について、基板の形状を変化させて調べた。その結果、自己停止がV溝の周期、(001)メサ平坦部の幅などの基板形状パラメータに依存しないことが分かった。これらの実験結果は、自己停止機構の解明およびデバイス応用の場合の構造設計にとって重要な情報になることが期待される。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-11-05
著者
-
松畑 洋文
電総研
-
松畑 洋文
産業技術総合研究所
-
小倉 睦郎
電総研
-
小倉 睦郎
電子技術総合研究所
-
小倉 睦郎
産業技術総合研究所
-
小倉 睦郎
独立行政法人産業技術総合研究所
-
王 学論
電総研
-
松畑 洋文
電子技術総合研究所
-
王 学論
産業技術総合研究所
-
王 学論
電子技術総合研究所電子デバイス部
-
小倉 睦郎
電子技術総合研究所:科学技術振興事業団、戦略的基礎研究推進事業(crest)
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