原子間力顕微鏡および顕微ホトルミネセンスによるV溝形AlGaAs/GaAs量子細線の界面ラフネス評価
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概要
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原子間力顕微鏡および顕微ホトルミネセンス測定を用いて、V溝形AlGaAs/GaAs量子細線の界面ラフネス改善における基板のNH_4OH:H_2O2:H_2Oエッチング処理の効果を調べた。その結果、V溝形成過程で発生した表面ラフネスがNH_4OHエッチング処理によって大幅に低減できることが分かった。また、その上に成長させた量子細線のへテロ界面の均一性がかなり改善されたことも明らかになった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-10-21
著者
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小倉 睦郎
電総研
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小倉 睦郎
電子技術総合研究所
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小倉 睦郎
産業技術総合研究所
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小倉 睦郎
独立行政法人産業技術総合研究所
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王 学論
電総研
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王 学論
産業技術総合研究所
-
王 学論
電子技術総合研究所電子デバイス部
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Voliotis V.
Groupe de Physique des Solides, CNRS
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Grousson R.
Groupe de Physique des Solides, CNRS
-
Voliotis V.
Groupe De Physique Des Solides Cnrs Universites Paris 6 Et Paris 72 Place Jussieu
-
Grousson R.
Groupe De Physique Des Solides Cnrs Universites Paris 6 Et Paris 72 Place Jussieu
-
小倉 睦郎
電子技術総合研究所:科学技術振興事業団、戦略的基礎研究推進事業(crest)
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