小倉 睦郎 | 電子技術総合研究所:科学技術振興事業団、戦略的基礎研究推進事業(crest)
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概要
関連著者
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小倉 睦郎
電子技術総合研究所:科学技術振興事業団、戦略的基礎研究推進事業(crest)
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小倉 睦郎
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関口 隆史
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科学技術振興事業団:科学技術振興事業団、戦略的基礎研究推進事業(crest)
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松本 和幸
芝浦工業大学:科学技術振興事業団、戦略的基礎研究推進事業(crest)
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彦坂 憲宣
科学技術振興事業団
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清水 三聡
電子技術総合研究所
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Grousson R.
Groupe de Physique des Solides, CNRS
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Voliotis V.
Groupe De Physique Des Solides Cnrs Universites Paris 6 Et Paris 72 Place Jussieu
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Grousson R.
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電子技術総合研究所:新エネルギー開発機構
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関口 隆史
物質・材料研究機構
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多田 哲也
産業技術融合領域研究所
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渡辺 正信
産業技術総合研究所
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小森 和弘
(独)産業技術総合研究所 光技術研究部門 光電子制御デバイスグループ:科学技術振興機構 戦略的創造研究推進事業 Crestタイプ
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東海大学短期大学部
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菅谷 武芳
産業技術総合研究所
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東北大・金研
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物質・材料研究機構半導体材料センターグループ
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産業技術総合研究所光技術研究部門
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通商産業省工業技術院電子技術総合研究所
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通商産業省工業技術院電子技術総合研究所
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通商産業省工業技術院電子技術総合研究所
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関口 隆史
Nims
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高須賀 庸行
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産総研、科技団戦略:nedo
著作論文
- InP(311)A段差基板上へ成長したトレンチ型InGaAs量子細線FETの負性抵抗
- III族原子表面拡散制御MBEによるInGaAs量子細線の作製
- SC-9-10 化合物半導体系量子細線FETの量子コンダクタンスおよび負性抵抗効果
- InGaAs量子細線FETから明瞭な負性抵抗の観察
- C-10-17 負性抵抗InGaAs量子細線FET
- III族原子表面拡散制御MBEによるInGaAs量子細線の作製
- 三日月状量子細線の観察
- 三日月状GaAs量子細線の電子顕微鏡による観察
- 表面マイグレーション制御自己停止成長特性の基板形状依存性
- 表面マイグレーション制御自己停止成長特性の基板形状依存性
- 表面マイグレーション制御自己停止成長による量子ナノ構造の作製
- 表面マイグレーション制御自己停止成長によるAlGaAs/GaAs量子細線の原子層制御作製
- 表面マイグレーション制御自己停止成長によるAlGaAs/GaAs量子細線の原子層制御作製
- 28a-A-2 三日月状GaAs量子細線の観察
- V溝基板上成長AlGaAs/GaAs量子細線超格子の光学特性
- 27aYA-9 半導体量子ナノ構造中の励起子の超高速位相ロック分光
- V溝量子細線の光・電子素子への応用
- InP(311)A段差基板上へ成長したトレンチ型InGaAs量子細線FETの負性抵抗
- InGaAs量子細線FETから明瞭な負性抵抗の観察
- 流量変調法による量子細線レーザの基底レベル発振
- 流量変調法による量子細線レーザの基底レベル発振
- リッジ基板上の一回の選択MOCVDによる InGaAs/AIGaAs 量子細線DFBレーザー
- 高精度・高安定マイケルソン干渉計による量子細線のコヒーレント制御
- 結合量子ナノ構造の作製と発光特性 (特集 光波高度制御技術の研究)
- 原子間力顕微鏡および顕微ホトルミネセンスによるV溝形AlGaAs/GaAs量子細線の界面ラフネス評価
- 原子間力顕微鏡および顕微ホトルミネセンスによるV溝形AlGaAs/GaAs量子細線の界面ラフネス評価
- 流量変調エピタキシー法を用いたAlGaAs/GaAs量子細線の作製とその光学特性