菅谷 武芳 | 電子技術総合研究所:科学技術振興事業団、戦略的基礎研究推進事業(crest)
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概要
関連著者
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菅谷 武芳
電子技術総合研究所:科学技術振興事業団、戦略的基礎研究推進事業(crest)
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菅谷 武芳
電総研
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菅谷 武芳
電子技術総合研究所
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杉山 佳延
電総研
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杉山 佳延
電子技術総合研究所
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小倉 睦郎
独立行政法人産業技術総合研究所
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小倉 睦郎
電子技術総合研究所:科学技術振興事業団、戦略的基礎研究推進事業(crest)
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中川 格
電子技術総合研究所
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小倉 睦郎
電子技術総合研究所
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米井 健治
芝浦工大
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米井 健治
芝浦工業大学
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金 成珍
電子技術総合研究所:nedo:戦略基礎研究科技団
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関口 隆史
独立行政法人 物質・材料研究機構
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関口 隆史
物材機構
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関口 隆史
物材研
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関口 隆史
東北大理
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関口 隆史
金属材料研究所
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関口 隆史
物質・材料研究機構ナノマテリアル研究所
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板谷 太郎
電子技術総合研究所
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関口 隆史
物質・材料研究機構半導体材料センター
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板谷 太郎
電子技術総合研究所 電子デバイス部
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田沼 保彦
芝浦工業大学
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清水 俊行
芝浦工業大学
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松本 和幸
芝浦工業大学
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張 起連
科学技術振興事業団
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関口 隆史
東北大学
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張 起連
科学技術振興事業団:科学技術振興事業団、戦略的基礎研究推進事業(crest)
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王 学論
電総研
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王 学論
産業技術総合研究所
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松本 和幸
芝浦工業大学:科学技術振興事業団、戦略的基礎研究推進事業(crest)
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高田 英行
産業技術総合研究所
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張 志剛
NEDO
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高田 英行
独立行政法人 産業技術総合研究所
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鳥塚 健二
電総研
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鳥塚 健二
産業技術総合研究所光技術研究部門
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高田 英行
産業技術総合研
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関口 隆史
物質・材料研究機構
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瀬川 勇三郎
理研CMRG
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猿倉 信彦
理化学研究所フォトダイナミクス研究センター
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瀬川 勇三郎
理化学研究所フォトダイナミクス研究センター
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LIU Zhenlin
理研フォトダイナミクス研究センター
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劉 振林
分子科学研究所
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小林 克行
フェムト秒テクノロジー研究機構
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小倉 睦郎
電総研
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LIU Zhenlin
岡崎国立共同研究機構 分子科学研究所
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菅谷 武芳
産業技術総合研究所
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関口 隆史
東北大・金研
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関口 隆史
物質・材料研究機構半導体材料センターグループ
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菅谷 武芳
産業技術総合研究所光技術研究部門
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菅谷 武芳
筑波大学物質工学系
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小倉 睦郎
産業技術総合研究所
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金 成珍
電総研
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孫 昌植
電総研
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菅谷 武芳
科技団
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杉山 佳延
科技団
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松本 和彦
電子技術総合研究所
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和泉田 真司
理化学研究所 フォトダイナミクス研究センター
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高橋 和直
理化学研究所 フォトダイナミクス研究センター
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劉 成有
理化学研究所 フォトダイナミクス研究センター
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劉 振林
理化学研究所 フォトダイナミクス研究センター
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疋田 朋幸
理化学研究所 フォトダイナミクス研究センター
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吉川 英樹
芝浦工業大学大学
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瀬川 勇三郎
理化学研究所
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和泉田 真司
分子研
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瀬川 勇三郎
Photodynamics Research Center The Institute Of Physical And Chemical Research (riken)
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川辺 光央
筑波大学物質工学系
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LIU Zhenlin
理化学研究所フォトダイナミクス研究センター
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鳥塚 健二
電子技術総合研究所
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張 志剛
フェムト秒テクノロジー研究機構
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高田 英行
電子技術総合研究所
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鳥塚 健二
工業技術院電子技術総合研究所
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高田 英行
工業技術院電子技術総合研究所
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欠端 雅之
工業技術院電子技術総合研究所
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板谷 太郎
工業技術院電子技術総合研究所
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菅谷 武芳
工業技術院電子技術総合研究所
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中川 格
工業技術院電子技術総合研究所
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張志 剛
新エネルギー・産業技術総合開発機構
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小林 克行
研究組合フェムト秒テクノロジー研究機構
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関口 隆史
Nims
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欠端 雅之
産業技術総合研究所光技術研究部門
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和泉田 伸司
分子研
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鳥塚 健二
独立行政法人産業技術総合研究所 光技術部門 超短パルスレーザーグループ
-
猿倉 信彦
理化学研究所フォトダイナミクス研究センタ-
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孫 昌植
産総研、科技団戦略:nedo
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小倉 睦郎
産業技術総合研
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川辺 光央
筑波大学物理工学系
著作論文
- InP(311)A段差基板上へ成長したトレンチ型InGaAs量子細線FETの負性抵抗
- III族原子表面拡散制御MBEによるInGaAs量子細線の作製
- SC-9-10 化合物半導体系量子細線FETの量子コンダクタンスおよび負性抵抗効果
- InGaAs量子細線FETから明瞭な負性抵抗の観察
- C-10-17 負性抵抗InGaAs量子細線FET
- 半導体非線形ミラーによるGHz高繰り返しモード同期固体レーザー
- III族原子表面拡散制御MBEによるInGaAs量子細線の作製
- 薄膜光吸収層を持つ微細光導電スイッチの試作
- SC-4-2 半導体可飽和吸収ミラーによるモード同期制御
- フェムト秒光パルス発生技術の現状と課題
- V溝量子細線の光・電子素子への応用
- InP(311)A段差基板上へ成長したトレンチ型InGaAs量子細線FETの負性抵抗
- InGaAs量子細線FETから明瞭な負性抵抗の観察
- 水素原子援用分子線エピタキシー法によるGaAsの選択成長