川辺 光央 | 筑波大学物質工学系

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• 赤羽 浩一

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• 岡田 至崇

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• 赤羽 浩一

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• 岡田 至崇

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• 藍 勝

  筑波大学物理工学系

• 藍 勝

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• 張 起連

  筑波大学物理工学系

• 宋 海智

  筑波大学物理工学系

• 宋 海智

  筑波大学 物理工学系

• 板東 義雄

  物材機構

• 木戸 義勇

  金属材料研究所

• 菅谷 武芳

  電子技術総合研究所:科学技術振興事業団、戦略的基礎研究推進事業(crest)

• 菅谷 武芳

  筑波大学物質工学系

• 坂東 義雄

  無機材研

• 高杉 英利

  NTTコミュニケーションズ(株)

• 板東 .義雄

  無機材質研

• 高杉 英利

  筑波大学物質工学系

• 上田 登志雄

  筑波大学物質工学系

• 北見 善三

  無機材質研究所

• 板東 義雄

  National Institute for Research in Inorganic Materials

• 許 懐哲

  筑波大学物理工学系

• 許 懐哲

  筑波大学 物理工学系

• 河村 隆広

  筑波大学物理工学系

• 高増 正

  金属材料研究所

• 小山 博道

  筑波大学物理工学系

• 井内 義将

  筑波大学物理工学系

• 板東 義雄

  京工繊大

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著作論文

• Si基板上へのGaAs成長の初期過程
• 水素原子援用分子線エピタキシー法によるGaAsの選択成長
• 横方向結合したIn_xGA_As/GaAs(311)B量子ドットの金属-絶縁体遷移
• 2次元電子ガスの移動度に対する量子ドットの横方向結合の影響
• 2次元電子ガスの移動度に対する量子ドットの横方向結合の影響
• C-10-14 GaAs (311) B基板上における高密度InGaAs量子ドットの評価
• 原子状水素援用MBEによるInGaAs量子ドットの作製
• AFMリソグラフィーによるIn(Ga)As量子ドットの自己形成位置制御
• 分子線エピタキシー法における原子状水素の効果

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