横方向結合したIn_xGA_<1-x>As/GaAs(311)B量子ドットの金属-絶縁体遷移

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概要

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本研究ではGaAs(311)B基板上における、In_xGa_<1-x>As自己組織化量子ドットにおける横方向光電流の測定を行なった。この試料において量子ドットは配列構造を持ち、サイズ分布が小さいため、量子ドットの横方向結合の形成が考えられる。この試料においては電場を印可した場合、金属-絶縁体遷移を示す負の微分コンダクタンス(NDC)が観測された。NDCが起こる前の金属的領域では、2次元音響フォノン散乱によるものと似た性質を示しており、ミニバンドにおける電子輸送が考えられる。これに対して、NDCが起きた後の絶縁領域では局在化したドット間のホッピング伝導が考えられ、ミニバンドは〜10^3Vcm^<-1>程度の横方向電界によって壊れるものと考えられる。
社団法人電子情報通信学会の論文
2001-02-22

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