2次元電子ガスの移動度に対する量子ドットの横方向結合の影響

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概要

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我々はGaAs/Al_<0.3>Ga_<0.7>As 2次元電子ガス(2DEG)をプローブとしてGaAs(311)B基板上のIn_<0.45>Ga_<0.65>As自己組織化量子ドット内の電荷の局在について研究を行なった。通常、近傍に量子ドットを挿入された2次元電子ガスはその移動度が低下する。しかしながら、量子ドットの密度が2×10^<11>cm^<-2>以上となり、量子ドットのサイズ、配置が均一な試料においては移動度が回復する結果が得られた。これはPLのスペクトル幅が減少することと、ピーク位置がレッドシフトすることから量子ドットの横方向結合の効果であると考えられる。移動度の回復は2DEGが量子ドット内の電荷によ誘起されたポテンシャル変動により散乱されるモデルを考えると、量子ドットの結合により電荷が非局在化したため散乱が少くなったと考えられる。
社団法人電子情報通信学会の論文
2000-02-10

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