AFMリソグラフィーによるIn(Ga)As量子ドットの自己形成位置制御
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概要
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我々は、自己形成による量子ドットの位置制御を目的として、GaAs(001)基板上にAFMにより250nmピッチで位置制御された酸化ドット列を作製し(ドットのサイズやピッチは任意に決められる)、それを核としてInAs量子ドットの位置制御を試みた。作製した酸化ドットの上にGaAsを10nm成長すると酸化ドットの真上に楕円形のGaAsの窪みが形成される。その後、InAsを約1ML成長するとInAsはGaAsの窪み内に選択的に成長しドット化する。このことは、酸化ドットを核とすることにより、量子ドットが精密に位置制御できること意味する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-02-10
著者
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岡田 至崇
筑波大学 物理工学系
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川辺 光央
筑波大学物質工学系
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川辺 光央
筑波大学 物理工学系
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岡田 至崇
筑波大学物理工学系
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小山 博道
筑波大学物理工学系
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井内 義将
筑波大学物理工学系
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川辺 光央
筑波大学物理工学系
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