C-10-14 GaAs (311) B基板上における高密度InGaAs量子ドットの評価
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-08-16
著者
-
木戸 義勇
金属材料研究所
-
赤羽 浩一
筑波大学 物理工学系
-
岡田 至崇
筑波大学 物理工学系
-
川辺 光央
筑波大学物質工学系
-
川辺 光央
筑波大学 物理工学系
-
赤羽 浩一
筑波大学物理工学系
-
藍 勝
筑波大学物理工学系
-
岡田 至崇
筑波大学物理工学系
-
藍 勝
筑波大学 物理工学系
-
河村 隆広
筑波大学物理工学系
-
高増 正
金属材料研究所
-
川辺 光央
筑波大学物理工学系
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