赤羽 浩一 | 筑波大学 物理工学系
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概要
関連著者
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赤羽 浩一
筑波大学 物理工学系
-
川辺 光央
筑波大学 物理工学系
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赤羽 浩一
筑波大学物理工学系
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川辺 光央
筑波大学物理工学系
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岡田 至崇
筑波大学 物理工学系
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川辺 光央
筑波大学物質工学系
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藍 勝
筑波大学 物理工学系
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藍 勝
筑波大学物理工学系
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岡田 至崇
筑波大学物理工学系
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宋 海智
筑波大学 物理工学系
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宋 海智
筑波大学物理工学系
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張 起連
筑波大学物理工学系
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赤羽 浩一
筑波大物質工
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許 懐哲
筑波大学 物理工学系
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木戸 義勇
東大物性研
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木戸 義勇
物材機構
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青柳 克信
理研
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今中 康貴
金材技研
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木戸 義勇
金材技研
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木戸 義勇
金属材料研究所
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野村 晋太郎
科技団:筑波大物理
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野村 晋太郎
理研
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高増 正
金材技研
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川辺 光央
筑波大物質工
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半村 清孝
理研
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川辺 光央
理研
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許 懐哲
筑波大学物理工学系
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河村 隆広
筑波大学物理工学系
-
高増 正
金属材料研究所
-
LAN SHENG
筑波大物質工
著作論文
- 27p-YN-8 GaAs(3,1,1)B基板上InGaAs整列量子ドットの電場下PL測定
- 横方向結合したIn_xGA_As/GaAs(311)B量子ドットの金属-絶縁体遷移
- 横方向結合したIn_xGa_As/GaAs(311)B量子ドットの金属-絶縁体遷移
- 2次元電子ガスの移動度に対する量子ドットの横方向結合の影響
- 2次元電子ガスの移動度に対する量子ドットの横方向結合の影響
- C-10-14 GaAs (311) B基板上における高密度InGaAs量子ドットの評価
- 27p-YN-9 パルス強磁場下における磁気光学測定装置の開発と量子ドットへの応用
- 原子状水素援用MBEによるInGaAs量子ドットの作製