流量変調法による量子細線レーザの基底レベル発振
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概要
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流量変調法により界面の平坦性を向上したAlGaAs/GaAs系量子細線を作製し、電極ストライプ型量子細線レーザを作製した。しきい値は、5mA程度で、量子細線レーザとしては初めて基底レベルからの発振が確認された。低温において、励起フォトルミネセンスからの吸収ピークと発振スペクトラムは、完全に一致している。室温付近の特性温度は322Kであった。また、ゲインスイッチ動作により、21psのパルス巾が得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-07-09
著者
-
小倉 睦郎
電総研
-
小倉 睦郎
電子技術総合研究所
-
小倉 睦郎
産業技術総合研究所
-
小倉 睦郎
独立行政法人産業技術総合研究所
-
王 学論
電総研
-
王 学論
産業技術総合研究所
-
王 学論
電子技術総合研究所電子デバイス部
-
清水 三聡
電総研
-
金 秦根
電子技術総合研究所
-
小森 和宏
電子技術総合研究所
-
彦坂 憲宣
科学技術振興事業団
-
清水 三聡
電子技術総合研究所
-
鈴木 克弘
電子技術総合研究所
-
小倉 睦郎
電子技術総合研究所:科学技術振興事業団、戦略的基礎研究推進事業(crest)
-
金 秦根
電子技術総合研究所:新エネルギー開発機構
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