最近の研究と技術 低角入射放射光回折顕微鏡法による4H-SiCパワーデバイス中の格子欠陥の観察

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概要

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著者

• 山口 博隆

  産総研

• 山口 博隆

  産総研エレクトロニクス

• 松畑 洋文

  産業技術総合研究所

• 山口 博隆

  産業技術総合研究所

• 大野 俊之

  日立中研

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