山口 博隆 | 産業技術総合研究所

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概要

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• 山口 博隆

  産総研

• 松畑 洋文

  産業技術総合研究所

• 山口 博隆

  産総研エレクトロニクス

• 大野 俊之

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• 松畑 洋文

  産総研

• 山口 博隆

  (独)産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター

• 加藤 智久

  (独)産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター

• 吉田 貞史

  産業技術総合研究所:埼玉大学工学部

• 荒井 和雄

  (独)産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター

• 西澤 伸一

  (独)産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター

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• 加藤 智久

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• 荒井 和雄

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• 大野 俊之

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著作論文

• 最近の研究と技術 低角入射放射光回折顕微鏡法による4H-SiCパワーデバイス中の格子欠陥の観察
• 4 X 線トポグラフィーによる SiC 結晶成長過程のその場観察(その場観察・計測技術)
• 28aRE-5 放射光を用いたgrazing incidenceトポグラフィーで観察される4H-SiCの転位のコントラスト(28aRE X線・粒子線(X線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 24aYF-7 低角入射による表面近傍の構造に敏感な放射光トポグラフ法による4H-SiCの格子欠陥の観察(格子欠陥・ナノ構造(力学物性・転位),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 平行ビームを使ったX線トポグラフィによるSiCの転位観察

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