29p-YX-7 補因子Ca^<2+>を除去した水分解酵素系Mnクラスターの異常な酸化過程 : 閃光誘起XANES分光法
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 1994-03-16
著者
-
山口 博隆
電総研
-
大柳 宏之
電総研
-
山口 博隆
産総研
-
楠 正美
明大理工物理
-
野口 巧
理研
-
井上 頼直
理研光合成科学
-
小野 高明
理研
-
小野 高明
理研・太陽光科学
-
井上 頼直
理研
-
楠 正美
明治大理工物理
-
井上 頼直
理研・植物薬理
-
楠 正美
明大理工・物理
-
楠 正美
明大理工
関連論文
- 28pPSA-35 Ca_Y_Cu_5O_のO-1s吸収端近傍のX線吸収・発光分光
- 28p-H-3 集光型2結晶モノクロメーター
- 15p-T-10 YBa_2Cu_3O_yの面内構造異常
- 28p-PS-77 YBa_2Cu_3O_薄膜の偏光EXAFSの温度変化
- PbBaSrYCu_3O_yおよびPbBaSr(Y,Ca)Cu_3O_yのX線吸収スペクトル
- 1p-YL-9 SPring-8によるh-BaTiO_3の相転移の高分解能実験
- 5a-TC-14 2価,2.5価,3価の二白金錯体のX線吸収スペクトル
- 5a-TC-13 ハロゲン架橋混合原子価錯体のX線吸収スペクトル
- 28p-K-2 蛍光XAFS法による[EDT-TTF(SC_)_2]_2I_3LB膜のヨウ素分子配向状態
- 27p-PS-71 Nd系酸化物超伝導体の電子状態と酸素欠陥
- Nd_Ce_xCuO_の電子状態 : 酸素効果
- 6p-ZA-3 Nd_Ce_xCuO_の電子状態
- 27p-PS-62 酸化物超伝導体のX線吸収スペクトル
- 15p-T-9 Tl_Pb_CuOのX線吸収分光
- Cu_3O_4面をもつBa_2Cu_3O_4Cl_2の単結晶の磁性
- 7p-PSA-43 LiMn_2O_4のX線吸収分光
- 28a-L-5 六方晶チタン酸バリウムの弾性的性質
- 28aYR-9 SrTi(^O_^O_x)_3の低温ラウエトポグラフィー
- 22aXC-8 擬1次元銅酸化物Ca_Y_Cu_5O_10の酸素1s XAS;Y置換効果
- 5a-L-9 La_Sr_xCu_8O_単結晶の構造
- 正方晶La_Sr_xCuO_4の長周期構造
- 30p-L-11 La_Ba_xCuO_4単結晶のX線回折II
- 28p-PSA-12 TSFZ法によるLaBa_2Cu_3O_7単結晶育成
- 28a-X-6 高温高圧下における液体セレンのEXAFS
- 2p-W-11 アモルファスIV-VI族半導体の構造
- 5p-PS-34 YBa_2Cu_O_yの超伝導の圧力効果の酸素濃度依存性
- 27p-PS-44 Ba_2YCu_3O_yのEXAFS : 酸素濃度依存性
- 1a-N-4 臭素をドープしたポリアセチレンのXANESの理論的研究
- 11a-T-9 Ge,GeO_2,GeAs,ZnSeのK-XANESスペクトルの理論的研究
- 31p-A-3 蛍光EXAFS法による光合成水分解酵素系Mnクラスターの局所構造解析
- 29p-YX-7 補因子Ca^を除去した水分解酵素系Mnクラスターの異常な酸化過程 : 閃光誘起XANES分光法
- 26p-D-10 光合成酸素発生系のS_0, S_1, S_2, S_3状態MnクラスターによるX-線 K-吸スペクトル
- 1a-R-8 SrTiO_3のブリルアン散乱II
- 4a-A-14 複核白金錯体の偏光X線吸収スペクトル
- 4a-A-13 ハロゲン架橋混合原子価錯体の高圧効果III X線吸収スペクトル
- 30a-W-7 Tl_2Ba_2CuO_yのCuO_2面内構造異常
- 27p-PS-66 TI_2Ba_2CuO_6の局所構造
- 12a-Q-5 臭素をドープしたポリアセチレンの偏光依存EXAFS
- 27p-L-1 フォトンファクトリーEXAFS測定装置
- 30a-G-12 臭素をドープしたポリアセチレンのEXAFS
- 27a-SB-22 アモルファスGeTeのEXAFS
- 1a-N-6 螢光XANESによるミオグロビンのスピン平衡
- 27p-SA-3 EXAFS法による金属蛋白質の局所構造解析
- 30a-D-11 表面敏感EXAFSによる単原子界面層の構造解析 (I) : Si/Ge/Si
- 高パワー放射光X線光学系の開発
- 13a-PS-48 1ML InP _As_x超薄膜の組成依存性におけるIn-As結合長異常
- 29p-C-11 ハロゲンドープC_の磁気特性と構造 III
- 27a-J-13 ハロゲンドープC_の磁気特性と構造II
- 2p-KK-11 EXAFS迅速測定法IV : 溶液反応の時分割観測の試み
- 3a-PS-14 希土類金属イオンを注入したFe,Ni-Fe薄膜
- カルコパイライト化合物半導体の結晶成長と基礎物性
- 28aXB-7 Ca_2Y_2Cu_5O_の辺共有CuO_2鎖におけるスピン波励起
- 17aPS-35 Ca_Y_Cu_5O_の辺共有CuO_2鎖における磁気励起
- 27a-YL-1 金属-絶縁体転移を示すPrRu_4P_のXAFS
- 5p-ZA-3 Tl系酸化物超伝導体の局所構造と電子状態
- 電荷・格子ストライプと高温超伝導:相分離から格子変調へ
- 6p-F-4 h-BaTiO_3の相転移と低温構造
- 31p-K-11 酸素欠損ペロブスカイトLa_Sr_xCu_8O_単結晶の光学的性質
- EXAFS法によるCuInSe2薄膜の局所構造の研究 (特集:カルコパイライト半導体) -- (物性評価--局所構造)
- 2Fa02 光合成酸素発生系における Mn クラスターの分子構造解析 : 高分解館 XANES による解析
- 5a-X-9 光合成における水分解系Mnクラスターの構造 : 蛍光XANES法から
- 5p-PS-30 FeをドープしたYBa_2Cu_3O_yの局所構造
- 5a-D3-1 La_2CuO_4単結晶の偏光XANES
- 1Cp09 蛍光XANES法による酸素発生系Mnの存在状態に関する研究 : II. 光活性化と33kD蛋白質遊離に伴う変化
- 1Cp08 蛍光XANES法による酸素発生系Mnの存在状態に関する研究 : I. S_0, S_1及びS_2状態におけるMnの個数と価数
- 3a-P-7 臭素およびヨウ素をドープしたポリアセチレンの構造
- 4p-YA-6 臭素をドープしたポリアセチレンの偏光X線吸収スペクトルIII : XANES
- 4p-YA-5 ヨウ素をドープしたポリアセチレンの偏光X線吸収スペクトルI : EXAFS
- 2p-KK-10 放射光を利用した蛍光EXAFS測定装置の開発と応用
- 2a-KD-8 臭素をドープしたポリアセチレンの偏光EXAFS II : 濃度依存性
- 27a-PS-40 YBaCu_3O_yおよびCaLaBaCu_3O_yの酸素欠陥と超伝導
- 28p-PS-27 CaLaBaCu_3O_yの局所構造と超伝導
- 23aZH-6 CeT_4P_(T=Fe, Ru, Os)のXANES
- MBE成長CIS薄膜のEXAFSによる研究 (特集:カルコパイライト半導体) -- (物性評価--局所構造)
- 14a-DH-12 Si(001)上のGe成長I「その場」表面敏感XAFSによる研究
- 14a-DH-9 Si(001)上のGe成長IIサーファクタントエピタキシーと界面構造
- 25a-ZG-6 Si(100)上のGeAs初期成長 : (1)As成長温度依存性
- 29a-YF-3 CuGeO_3のブリルアン散乱 II
- 15a-S-17 CuGeO_3の外部圧力によるアモルファス化と磁性
- 29a-D-1 アモルファス Si-H 合金の圧力誘起非金属-金属転移
- 31p GE-7 非晶質シリコン水素合金スパッタ膜の物性
- 4p-K-9 NaCl構造InSbの安定性
- 6p-B-12 X線光電子スペクトル(XPS)による非晶質Geの研究
- 27a-PS-38 YBa_2Cu_3O_薄膜の酸素脱離とX線吸収分光
- 29p-W-10 GeSi超格子の構造
- 4a-PS-27 表面敏感XAFSによるGe_nSi_m超格子の研究III. : 局所構造の基板温度依存性
- 4a-PS-26 表面敏感XAFSによるGe_nSi_m超格子の研究VI. : n=2の特異な電子状態
- 1a-A-4 六方晶チタン酸バリウムの構造相転移に起因した光第二高調波散乱
- 31p-A-5 六方晶BaTiO_3の相転移物性 : ラマン散乱、弾性定数、一軸性圧力効果
- 30a-RD-3 六方晶型BaTiO_3の構造相転移 II
- 4p-WB-10 SxTiO_3の伝導電子バンド間ラマン散乱
- 2p-YF-1 六方晶BaTiO_3における低周波赤外活性モードのソフト化V
- 28p-YR-10 六方晶BaTiO_3における低周波赤外活性モードのソフト化IV
- 12a-J-3 六方晶BaTiO_3における低周波赤外活性モードのソフト化II : 誘電率温度依存性
- 1a-A-3 六法晶BaTiO_3における低周波赤外活性モードのソフト化
- 2a-PS-14 La_Ba_xCuO_4単結晶のX線回折
- 30p-PSA-33 CuGeO_3のアモルファス化と圧力効果
- 30p-PSB-25 Sr_xLa_CuO_の酸素欠陥ど超伝導
- 酸素欠損型ペロブスカイトLa8-xSrxCu8O20の結晶構造
- 28a-G-8 Si/Ge超格子の表面敏感EXAFS(28aG 半導体(表面・界面・超格子))