5a-TC-13 ハロゲン架橋混合原子価錯体のX線吸収スペクトル
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
27a-ZD-15 ハロゲン架橋混合原子価錯体の超高速分光II
-
28a-G-5 ハロゲン架橋混合原子価錯体の超高速分光
-
28p-H-3 集光型2結晶モノクロメーター
-
15p-T-10 YBa_2Cu_3O_yの面内構造異常
-
28p-PS-77 YBa_2Cu_3O_薄膜の偏光EXAFSの温度変化
-
PbBaSrYCu_3O_yおよびPbBaSr(Y,Ca)Cu_3O_yのX線吸収スペクトル
-
30a-H-5 一次元白金錯体の自己束縛励起子と光誘起欠陥状態
-
25a-W-8 ハロゲン架橋白金錯体の薄膜作製と非線形光学効果
-
5p-K-7 ハロゲン架橋複核白金錯体の光物性
-
31a-P-5 ハロゲン架橋ニッケル錯体の核磁気緩和
-
5p-L-7 ハロゲン架橋白金族錯体の自己束縛励起子発光の寿命(II)
-
3a-S4-6 ハロゲン架橋白金族錯体の自己束縛励起子発光の寿命
-
5a-TC-14 2価,2.5価,3価の二白金錯体のX線吸収スペクトル
-
5a-TC-13 ハロゲン架橋混合原子価錯体のX線吸収スペクトル
-
4a-KG-11 ハロゲン架橋混合原子価錯体の高圧効果Iラマン散乱と発光
-
28p-K-2 蛍光XAFS法による[EDT-TTF(SC_)_2]_2I_3LB膜のヨウ素分子配向状態
-
27p-PS-71 Nd系酸化物超伝導体の電子状態と酸素欠陥
-
Nd_Ce_xCuO_の電子状態 : 酸素効果
-
6p-ZA-3 Nd_Ce_xCuO_の電子状態
-
25a-W-7 ハロゲン架橋複核白金錯体の光物性(II)
-
27p-PS-62 酸化物超伝導体のX線吸収スペクトル
-
15p-T-9 Tl_Pb_CuOのX線吸収分光
-
29p-ZF-2 擬一次元白金錯体における光誘起吸収の顕微分及び画像解析II
-
25a-Z-10 擬一次元白金錯体における光誘起吸収の顕微分光及び画像解析
-
28a-X-6 高温高圧下における液体セレンのEXAFS
-
31a-YP-8 ハルデン系新物質の磁性
-
2p-W-11 アモルファスIV-VI族半導体の構造
-
5p-PS-34 YBa_2Cu_O_yの超伝導の圧力効果の酸素濃度依存性
-
27p-PS-44 Ba_2YCu_3O_yのEXAFS : 酸素濃度依存性
-
1a-N-4 臭素をドープしたポリアセチレンのXANESの理論的研究
-
11a-T-9 Ge,GeO_2,GeAs,ZnSeのK-XANESスペクトルの理論的研究
-
31p-A-3 蛍光EXAFS法による光合成水分解酵素系Mnクラスターの局所構造解析
-
29p-YX-7 補因子Ca^を除去した水分解酵素系Mnクラスターの異常な酸化過程 : 閃光誘起XANES分光法
-
26p-D-10 光合成酸素発生系のS_0, S_1, S_2, S_3状態MnクラスターによるX-線 K-吸スペクトル
-
4a-A-14 複核白金錯体の偏光X線吸収スペクトル
-
4a-A-13 ハロゲン架橋混合原子価錯体の高圧効果III X線吸収スペクトル
-
30a-W-7 Tl_2Ba_2CuO_yのCuO_2面内構造異常
-
27p-PS-66 TI_2Ba_2CuO_6の局所構造
-
12a-Q-5 臭素をドープしたポリアセチレンの偏光依存EXAFS
-
27p-L-1 フォトンファクトリーEXAFS測定装置
-
30a-G-12 臭素をドープしたポリアセチレンのEXAFS
-
27a-SB-22 アモルファスGeTeのEXAFS
-
1a-N-6 螢光XANESによるミオグロビンのスピン平衡
-
27p-SA-3 EXAFS法による金属蛋白質の局所構造解析
-
30a-D-11 表面敏感EXAFSによる単原子界面層の構造解析 (I) : Si/Ge/Si
-
高パワー放射光X線光学系の開発
-
5p-K-13 複核カロゲン架橋金属錯体に対する一考察
-
5p-L-4 強い水素結合を有するハロゲン架橋混合原子価錯体の物性
-
13a-PS-48 1ML InP _As_x超薄膜の組成依存性におけるIn-As結合長異常
-
29p-C-11 ハロゲンドープC_の磁気特性と構造 III
-
27a-J-13 ハロゲンドープC_の磁気特性と構造II
-
2p-KK-11 EXAFS迅速測定法IV : 溶液反応の時分割観測の試み
-
3a-PS-14 希土類金属イオンを注入したFe,Ni-Fe薄膜
-
カルコパイライト化合物半導体の結晶成長と基礎物性
-
27a-YL-1 金属-絶縁体転移を示すPrRu_4P_のXAFS
-
5p-ZA-3 Tl系酸化物超伝導体の局所構造と電子状態
-
電荷・格子ストライプと高温超伝導:相分離から格子変調へ
-
EXAFS法によるCuInSe2薄膜の局所構造の研究 (特集:カルコパイライト半導体) -- (物性評価--局所構造)
-
2Fa02 光合成酸素発生系における Mn クラスターの分子構造解析 : 高分解館 XANES による解析
-
5a-X-9 光合成における水分解系Mnクラスターの構造 : 蛍光XANES法から
-
5p-PS-30 FeをドープしたYBa_2Cu_3O_yの局所構造
-
5a-D3-1 La_2CuO_4単結晶の偏光XANES
-
1Cp09 蛍光XANES法による酸素発生系Mnの存在状態に関する研究 : II. 光活性化と33kD蛋白質遊離に伴う変化
-
1Cp08 蛍光XANES法による酸素発生系Mnの存在状態に関する研究 : I. S_0, S_1及びS_2状態におけるMnの個数と価数
-
3a-P-7 臭素およびヨウ素をドープしたポリアセチレンの構造
-
4p-YA-6 臭素をドープしたポリアセチレンの偏光X線吸収スペクトルIII : XANES
-
4p-YA-5 ヨウ素をドープしたポリアセチレンの偏光X線吸収スペクトルI : EXAFS
-
2p-KK-10 放射光を利用した蛍光EXAFS測定装置の開発と応用
-
2a-KD-8 臭素をドープしたポリアセチレンの偏光EXAFS II : 濃度依存性
-
27a-PS-40 YBaCu_3O_yおよびCaLaBaCu_3O_yの酸素欠陥と超伝導
-
28p-PS-27 CaLaBaCu_3O_yの局所構造と超伝導
-
28p-ZF-12 CT-遷移金属錯体M(DAG)_2-TCNQ(M=Ni,Pd,Pt)の物性
-
23aZH-6 CeT_4P_(T=Fe, Ru, Os)のXANES
-
MBE成長CIS薄膜のEXAFSによる研究 (特集:カルコパイライト半導体) -- (物性評価--局所構造)
-
14a-DH-12 Si(001)上のGe成長I「その場」表面敏感XAFSによる研究
-
14a-DH-9 Si(001)上のGe成長IIサーファクタントエピタキシーと界面構造
-
25a-ZG-6 Si(100)上のGeAs初期成長 : (1)As成長温度依存性
-
29a-D-1 アモルファス Si-H 合金の圧力誘起非金属-金属転移
-
31p GE-7 非晶質シリコン水素合金スパッタ膜の物性
-
4p-K-9 NaCl構造InSbの安定性
-
6p-B-12 X線光電子スペクトル(XPS)による非晶質Geの研究
-
27p-L-2 シンクロトロン放射を用いた高速EXAFS測定法
-
27a-PS-38 YBa_2Cu_3O_薄膜の酸素脱離とX線吸収分光
-
29p-W-10 GeSi超格子の構造
-
29p-C-5 表面敏感XAFSからみた2次元成長 : SiGe超格子を中心として
-
4a-PS-27 表面敏感XAFSによるGe_nSi_m超格子の研究III. : 局所構造の基板温度依存性
-
4a-PS-26 表面敏感XAFSによるGe_nSi_m超格子の研究VI. : n=2の特異な電子状態
-
30a-E-11 RbCu_4I_Cl_のEXAFS
-
1p-M-12 放射光を用いた高速EXAFS測定法II
-
1p-M-11 放射光を用いた高速EXAFS測定法I
-
30a-X-7 孤立一次元セレン鎖の構造の圧力変化
-
14a-DD-4 [Pt(en)_2][Pt(en)_2Cl_2](ClO_4)_4と関連物質の中性子回折・散乱
-
放射光用結晶分光型四軸回折計の製作とそれによる散漫散乱測定
-
24pN-4 光誘起構造相転移現象のX線分光 : 光励起と原子再配列
-
ゲルマニウム100ピクセルアレイ検出器の開発に成功
-
局所構造と超電導 (特集:高温超電導) -- (電気的・磁気的物性評価)
-
挿入光源と第3世代XAFS : 高輝度光源のもたらす新世界
-
28a-S-4 カンクリナイト中のセレン分子-ダイマ : 構造の証拠
-
29p-K-11 Nd_Ce_xCuO_4における酸素欠陥モデルとその検証
-
31a-P-5 ハロゲン架橋混合原子価錯体と水素結合(31aP 分子性結晶・液晶・有機半導体(白金錯体他))
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク