中川 格 | 電総研
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概要
関連著者
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中川 格
電総研
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阪東 寛
産総研
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阪東 寛
電総研
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阪東 寛
産業技術総合研
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山口 祐二
電総研
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白川 直樹
電総研
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小原 春彦
産総研
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小原 春彦
電総研
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小原 春彦
独立行政法人 産業技術総合研究所
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ラジャラム G.
ハイデラバード大
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太田 公廣
電総研
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太田 公廣
電総研デバイス機能研
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梶村 皓二
電総研
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徳本 洋志
電総研
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ムンタズ A.
カイデアザム大
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梶村 皓二
筑波大物質工:電総研
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中川 格
電総研デバイス機能研
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小島 猛
電総研
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徳本 洋志
Jrcat-nair
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武藤 俊一
北海道大学大学院工学研究科
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阪東 寛
電子技術総合研究所
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中川 格
電子技術総合研究所
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横山 直樹
(株)富士通研究所
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横山 直樹
富士通株式会社
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粟野 祐二
富士通研
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田沼 保彦
芝浦工大
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菅谷 武芳
電総研
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高橋 俊充
東海大
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杉山 佳延
電総研
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米井 健治
芝浦工大
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小倉 睦郎
電総研
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武藤 俊一
北海道大学工学部
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粟野 祐二
富士通株式会社
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クリストフ ウィルナー
富士通株式会社
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武藤 俊一
北海道大学 大学院工学研究科 量子物理工学専攻
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横山 直樹
ナノテクノロジー研究センター株式会社富士通研究所
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Rajaram G
ハイデラバード大
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Mumtaz A
カイデアザム大
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ラジャラム G
ハイデラバード大
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ムンタズ A.
GIK科学技術大
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太田 公広
電総研デバイス機能研
-
太田 公広
電総研
著作論文
- 29a-ZL-3 MBEによるV溝型InGaAs/InAlAs量子細線FETの試作
- 28p-PSA-30 Bi-2212磁束相境界近傍での磁束密度分布とその緩和
- 量子箱におけるフォノン散乱抑制への期待
- 23pZJ-1 Bi-2212における磁気緩和と磁束相境界の連続性
- 24aYP-2 Bi-2212におけるセカンドピークの緩和と温度依存性
- 26a-YB-10 Bi-2212 単結晶の超伝導磁束密度の空間分布と緩和
- 6p-A2-5 三重障壁ダイオードの2つの量子井戸間の電子トンネリングに対する垂直磁場の効果
- 6p-A2-4 三重障壁ダイ・オードの2つの量子井戸間の電子トンネリングに対する平行磁場の効果
- 28p-A-1 AlGaAs/GaAs三重障壁構造の共鳴トンネル効果
- RHEED振動によるGaAs上のGaのAs取り込み速度 : エピタキシーI
- As取り込みのRHEED振動と表面融解
- 超格子ベ-ス・トランジスタ (超格子素子基礎技術) -- (新超格子デバイスの開発--2端子素子・3端子素子)
- 3重障壁共鳴トンネルダイオ-ド (超格子素子基礎技術) -- (新超格子デバイスの開発--2端子素子・3端子素子)
- チャ-プ超格子素子 (超格子素子基礎技術) -- (新超格子デバイスの開発--2端子素子・3端子素子)
- 3-5化合物半導体上製膜技術としてのセラミックコ-ティング (セラミックコ-ティング)