中川 格 | 電総研デバイス機能研
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概要
関連著者
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中川 格
電総研デバイス機能研
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箕村 茂
岡山理科大・理
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太田 公廣
電総研デバイス機能研
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箕村 茂
岡山理科大学基礎理学科
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匠 正治
福大理
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財部 健一
岡山理大理
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匠 正治
岡山理大理
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箕村 茂
岡山理大理
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電総研
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小島 猛
電総研
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岡山理科大学
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電総研デバイス機能研
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電総研
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電総研デバイス機能研
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岡山理科大理
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芦沢 宏明
岡山理科大理
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塩津 厚晋
岡山理科大
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芦澤 宏明
岡山理科大
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太田 公広
電総研
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芦沢 宏明
岡山理大理
著作論文
- 12a-DE-6 三重障壁共鳴トンネルダイオードに及ぼす圧力効果とピーク・バレー比
- 30p-N-8 三重障壁共鳴トンネルダイオードの電流-電圧特性に及ぼす温度・圧力効果 II
- 26a-ZG-9 三重障壁共鳴トンネルダイオードの電流-電圧特性に及ぼす温度・圧力効果
- 28p-C-4 三重障壁共鳴トンネルダイオードの電流 : 電圧特性に及ぼす圧力効果II
- 24p-M-19 三重障壁共鳴トンネリング・ダイオードの電流-電圧特性に及ぼす圧力効果
- RHEED振動によるGaAs上のGaのAs取り込み速度 : エピタキシーI
- As取り込みのRHEED振動と表面融解