太田 公廣 | 電総研デバイス機能研
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概要
関連著者
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太田 公廣
電総研デバイス機能研
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中川 格
電総研デバイス機能研
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中川 格
電総研
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箕村 茂
岡山理科大・理
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太田 公廣
電総研
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財部 健一
岡山理大理
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阪東 寛
電総研
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箕村 茂
岡山理科大学基礎理学科
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梶村 皓二
電総研
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徳本 洋志
電総研
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梶村 皓二
筑波大物質工:電総研
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匠 正治
岡山理大理
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箕村 茂
岡山理大理
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匠 正治
福大理
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阪東 寛
産総研
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徳本 洋志
Jrcat-nair
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阪東 寛
産業技術総合研
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財部 健一
岡理大理
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小島 猛
電総研
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財部 健一
岡山理科大学
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大田 公廣
電総研デバイス機能研
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塩津 厚晋
岡山理科大
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芦澤 宏明
岡山理科大
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箕村 茂
岡山理科大
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財部 健一
岡山理科大
著作論文
- 6p-A2-5 三重障壁ダイオードの2つの量子井戸間の電子トンネリングに対する垂直磁場の効果
- 6p-A2-4 三重障壁ダイ・オードの2つの量子井戸間の電子トンネリングに対する平行磁場の効果
- 28p-A-1 AlGaAs/GaAs三重障壁構造の共鳴トンネル効果
- 12a-DE-6 三重障壁共鳴トンネルダイオードに及ぼす圧力効果とピーク・バレー比
- 30p-N-8 三重障壁共鳴トンネルダイオードの電流-電圧特性に及ぼす温度・圧力効果 II
- 26a-ZG-9 三重障壁共鳴トンネルダイオードの電流-電圧特性に及ぼす温度・圧力効果
- 24p-M-19 三重障壁共鳴トンネリング・ダイオードの電流-電圧特性に及ぼす圧力効果
- RHEED振動によるGaAs上のGaのAs取り込み速度 : エピタキシーI