箕村 茂 | 岡山理大理
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概要
関連著者
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財部 健一
岡山理大理
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箕村 茂
岡山理科大・理
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箕村 茂
岡山理大理
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財部 健一
岡理大理
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加藤 弘
関西学院大・理
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加藤 弘
関学大理
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渡辺 泰堂
関学大理
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渡辺 泰堂
関学大・理
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箕村 茂
大市大工
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松田 耕一郎
堀場製作所
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中山 正昭
大市大工
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人見 聡
岡山理大理
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吉村 孝憲
岡山理大理
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人見 聡
岡理大理
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中川 格
電総研デバイス機能研
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箕村 茂
岡山理科大学基礎理学科
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匠 正治
岡山理大理
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太田 公廣
電総研デバイス機能研
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芦沢 宏明
岡山理大理
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匠 正治
福大理
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亀山 忠幸
関学大理
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川井 清孝
岡山理大理
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日下 征彦
岡山大学自然科学研究科
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日下 征彦
岡山大理
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新井 敏弘
筑波大物工
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松本 俊
山梨大工
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山本 信行
大阪府立大学工学部
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山本 信行
大阪府大院工
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入江 泰三
東理大工
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粟井 昌一
関学大理
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新井 敏弘
石巻専修大学理工学部電子材料工学科
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若村 国夫
岡山理大
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大田 公廣
電総研デバイス機能研
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山本 信行
大阪府大工
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入江 泰三
東京理科大学基礎工学部
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若村 国夫
岡山理大理
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白瀬 直樹
岡山理大・理
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白瀬 直樹
岡山理大理
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平塚 悌一
岡山理大理
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Yosimura T.
岡山理大理
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岸本 浩明
岡山理大理
著作論文
- 12a-DE-6 三重障壁共鳴トンネルダイオードに及ぼす圧力効果とピーク・バレー比
- 30p-N-8 三重障壁共鳴トンネルダイオードの電流-電圧特性に及ぼす温度・圧力効果 II
- 26a-ZG-9 三重障壁共鳴トンネルダイオードの電流-電圧特性に及ぼす温度・圧力効果
- 28p-C-2 (GaAs)n/(AlAs)n TypeI超格子におけるフォトルミネッセンスの圧力効果
- 26a-G-9 CuInXz(X=S,Se,Te)のVUV反射スペクトルと電子構造
- 3a-J-10 DXセンターの多重性と格子緩和II : 圧力下におけるICTSスペクトル実験
- 28a-D-10 ICTS法を用いたAl_xGa_As:Te中のDXセンターの圧力効果
- 24a-M-4 DXセンターの電子放出スペクトルの圧力下ICTS測定
- 5a-D-1 DXセンターの電子放出スペクトルの圧力下ICTS測定
- 6p-C-6 超高圧低温下のICTS法による化合物半導体中の深い不純物準位の研究(I)
- 28p-C-3 (GaAs)m(AlAs)n人工超格子における光学スペクトルの圧力効果
- 24p-M-9 (GaAs)_m(AlAs)_n人工超格子における反射スペクトルの圧力効果II
- 2a-D-9 (GaAs)m(AlAs)n超格子の反射スペクトルの圧力効果
- 30a-Z-13 超高圧低温下における(GaAs)m(AlAs)m超格子のフォトルミネッセンス (III)
- 3p-C-13 超高圧低温下における(GaAs)_m(AlAs)_n超格子のフォトルミネッセンス (II)
- 4a-A2-7 混晶カルコパイライト半導体のラマン散乱に及ぼす高圧・混晶効果
- 28a-ZH-3 フォトルミネッセンスによるGaAs/AlAs超格子の圧力効果
- 第5回高圧半導体物理学国際会議報告