RHEED振動によるGaAs上のGaのAs取り込み速度 : エピタキシーI
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 日本結晶成長学会の論文
- 1990-07-20
著者
関連論文
- 29a-ZL-3 MBEによるV溝型InGaAs/InAlAs量子細線FETの試作
- A-9-2 薄膜太陽電池モジュール特性の経時挙動例(A-9.信頼性,基礎・境界)
- 28p-PSA-30 Bi-2212磁束相境界近傍での磁束密度分布とその緩和
- 量子箱におけるフォノン散乱抑制への期待
- 23pZJ-1 Bi-2212における磁気緩和と磁束相境界の連続性
- 24aYP-2 Bi-2212におけるセカンドピークの緩和と温度依存性
- 26a-YB-10 Bi-2212 単結晶の超伝導磁束密度の空間分布と緩和
- 31a-YL-1 GaAs-AlAs短周期超格子の表面フォノン・ポラリトン
- 6p-A2-5 三重障壁ダイオードの2つの量子井戸間の電子トンネリングに対する垂直磁場の効果
- 6p-A2-4 三重障壁ダイ・オードの2つの量子井戸間の電子トンネリングに対する平行磁場の効果
- A-9-5 白色LEDの輝度劣化の考察(A-9.信頼性,一般講演)
- C-9-1 白色 LED の長期電流加速動作
- 28p-A-1 AlGaAs/GaAs三重障壁構造の共鳴トンネル効果
- 12a-DE-6 三重障壁共鳴トンネルダイオードに及ぼす圧力効果とピーク・バレー比
- 30p-N-8 三重障壁共鳴トンネルダイオードの電流-電圧特性に及ぼす温度・圧力効果 II
- 26a-ZG-9 三重障壁共鳴トンネルダイオードの電流-電圧特性に及ぼす温度・圧力効果
- 28p-C-4 三重障壁共鳴トンネルダイオードの電流 : 電圧特性に及ぼす圧力効果II
- 24p-M-19 三重障壁共鳴トンネリング・ダイオードの電流-電圧特性に及ぼす圧力効果
- RHEED振動によるGaAs上のGaのAs取り込み速度 : エピタキシーI
- As取り込みのRHEED振動と表面融解
- ライン光測定法を用いた色素増感太陽電池モジュールの評価
- 色素増感太陽電池性能の温度安定性
- 色素増感太陽電池性能の光照射による影響
- 色素増感太陽電池の光・温度ステップストレスによる耐久性
- 薄膜太陽電池パネルの品質評価 (平成21年度 日本太陽エネルギー学会・日本風力エネルギー協会 合同研究発表会) -- (セッション:A5 PV(8))
- 色素増感太陽電池特性の経時変化 (平成21年度 日本太陽エネルギー学会・日本風力エネルギー協会 合同研究発表会) -- (セッション:A2 PV(2))
- A-9-4 EVA封止c-Si太陽電池の光劣化の考察(A-9.信頼性,一般講演)
- EVA封止c-Si太陽電池の光加速試験
- 色素増感太陽電池特性の光照射挙動
- A-9-1 新構造シリコン太陽電池特性の光加速劣化(A-9.信頼性,基礎・境界)
- 擬似太陽光照射及び複合環境試験による太陽電池モジュール用封止材の分光特性変化
- ライン光測定法を用いたCIS系薄膜モジュール特性の劣化・回復の解析
- 光照射における色素増感太陽電池の特性変化
- フラッシュ光による簡易IV取得システムの再現性
- CuInGaSe_2 太陽電池特性の各種ストレスに対する挙動
- B-9-5 光照射 (9-SUN) による CIGS 太陽電池の暗 I-V 及び光 I-V 特性への影響
- 超格子ベ-ス・トランジスタ (超格子素子基礎技術) -- (新超格子デバイスの開発--2端子素子・3端子素子)
- 3重障壁共鳴トンネルダイオ-ド (超格子素子基礎技術) -- (新超格子デバイスの開発--2端子素子・3端子素子)
- チャ-プ超格子素子 (超格子素子基礎技術) -- (新超格子デバイスの開発--2端子素子・3端子素子)
- 3-5化合物半導体上製膜技術としてのセラミックコ-ティング (セラミックコ-ティング)
- 電圧掃引付きの分光感度特性による積層型太陽電池の各層評価
- 31a GE-2 a-AsSe系の光電子分光
- 光照射及び電流注入による CIGS 太陽電池の劣化解析
- 13a-PS-31 GaAs-AlAs超格子のEELS/Raman複合計測
- RHEED振動でみるGaAs(001)面微傾斜上におけるAs取り込み成長 : エピタキシーI
- 結晶工学
- 6a-KL-3 GaAsのガンドメインを用いた光変調
- RHEED振動による蒸発,薄膜融解及び表面拡散の観察-3-GaAs(001)面上のGa及びGe(001)面上のGeの表面拡散 (超格子素子基礎技術) -- (極薄膜ヘテロ界面の構造と特性評価)
- RHEED振動による蒸発,薄膜融解及び表面拡散の観察-2-RHEED強度振動によるGa(Al)へのAs取り込み結晶成長とAlの薄膜融解 (超格子素子基礎技術) -- (極薄膜ヘテロ界面の構造と特性評価)
- RHEED振動による蒸発,薄膜融解及び表面拡散の観察-1-GaAs,AlGaAsにおける単分子層蒸発及び選択蒸発 (超格子素子基礎技術) -- (極薄膜ヘテロ界面の構造と特性評価)
- 高温における電子デバイスの信頼性