RHEED振動による蒸発,薄膜融解及び表面拡散の観察-3-GaAs(001)面上のGa及びGe(001)面上のGeの表面拡散 (超格子素子基礎技術<特集>) -- (極薄膜ヘテロ界面の構造と特性評価)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 電子技術総合研究所の論文

著者

• 小島 猛

  電総研

• 太田 公広

  電総研

関連論文

• A-9-2 薄膜太陽電池モジュール特性の経時挙動例(A-9.信頼性,基礎・境界)
• 31a-YL-1 GaAs-AlAs短周期超格子の表面フォノン・ポラリトン
• A-9-5 白色LEDの輝度劣化の考察(A-9.信頼性,一般講演)
• C-9-1 白色 LED の長期電流加速動作
• RHEED振動によるGaAs上のGaのAs取り込み速度 : エピタキシーI
• As取り込みのRHEED振動と表面融解
• ライン光測定法を用いた色素増感太陽電池モジュールの評価
• 色素増感太陽電池性能の温度安定性
• 色素増感太陽電池性能の光照射による影響
• 色素増感太陽電池の光・温度ステップストレスによる耐久性
• 薄膜太陽電池パネルの品質評価 (平成21年度 日本太陽エネルギー学会・日本風力エネルギー協会 合同研究発表会) -- (セッション:A5 PV(8))
• 色素増感太陽電池特性の経時変化 (平成21年度 日本太陽エネルギー学会・日本風力エネルギー協会 合同研究発表会) -- (セッション:A2 PV(2))
• A-9-4 EVA封止c-Si太陽電池の光劣化の考察(A-9.信頼性,一般講演)
• EVA封止c-Si太陽電池の光加速試験
• 色素増感太陽電池特性の光照射挙動
• A-9-1 新構造シリコン太陽電池特性の光加速劣化(A-9.信頼性,基礎・境界)
• 擬似太陽光照射及び複合環境試験による太陽電池モジュール用封止材の分光特性変化
• ライン光測定法を用いたCIS系薄膜モジュール特性の劣化・回復の解析
• 光照射における色素増感太陽電池の特性変化
• フラッシュ光による簡易IV取得システムの再現性
• CuInGaSe_2 太陽電池特性の各種ストレスに対する挙動
• B-9-5 光照射 (9-SUN) による CIGS 太陽電池の暗 I-V 及び光 I-V 特性への影響
• 電圧掃引付きの分光感度特性による積層型太陽電池の各層評価
• 光照射及び電流注入による CIGS 太陽電池の劣化解析
• 13a-PS-31 GaAs-AlAs超格子のEELS/Raman複合計測
• RHEED振動でみるGaAs(001)面微傾斜上におけるAs取り込み成長 : エピタキシーI
• 8p-H-5 III-V化合物の相図式
• GaAsの役割と次世代電子工業 (21世紀へ向けての新金属工業)
• 超格子材料の新潮流
• 超高速半導体回路の電気光学サンプリング技術 (超短光パルスとその応用)
• 電気光学サンプリング法の開発 (超格子素子基礎技術) -- (新超格子デバイスの開発--2端子素子・3端子素子)
• 砒素パッシベ-ション (超格子素子基礎技術) -- (極薄膜ヘテロ界面の構造と特性評価)
• RHEED振動による蒸発,薄膜融解及び表面拡散の観察-3-GaAs(001)面上のGa及びGe(001)面上のGeの表面拡散 (超格子素子基礎技術) -- (極薄膜ヘテロ界面の構造と特性評価)
• RHEED振動による蒸発,薄膜融解及び表面拡散の観察-2-RHEED強度振動によるGa(Al)へのAs取り込み結晶成長とAlの薄膜融解 (超格子素子基礎技術) -- (極薄膜ヘテロ界面の構造と特性評価)
• RHEED振動による蒸発,薄膜融解及び表面拡散の観察-1-GaAs,AlGaAsにおける単分子層蒸発及び選択蒸発 (超格子素子基礎技術) -- (極薄膜ヘテロ界面の構造と特性評価)
• GaAsのPLE (超格子素子基礎技術) -- (単原子層精度の結晶成長技術--位相制御エピタキシ-(PLE)法)
• 超格子素子を求めて
• 高温における電子デバイスの信頼性
• 29p-BD-9 MgをドープしたIn_2O_3単結晶のラマンスペクトル(29p BD イオン結晶・光物性(磁性体,ラマン散乱,有機物))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク