砒素パッシベ-ション (超格子素子基礎技術<特集>) -- (極薄膜ヘテロ界面の構造と特性評価)
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- As取り込みのRHEED振動と表面融解
- 8p-H-5 III-V化合物の相図式
- GaAsの役割と次世代電子工業 (21世紀へ向けての新金属工業)
- 超格子材料の新潮流
- 超高速半導体回路の電気光学サンプリング技術 (超短光パルスとその応用)
- 電気光学サンプリング法の開発 (超格子素子基礎技術) -- (新超格子デバイスの開発--2端子素子・3端子素子)
- 砒素パッシベ-ション (超格子素子基礎技術) -- (極薄膜ヘテロ界面の構造と特性評価)
- RHEED振動による蒸発,薄膜融解及び表面拡散の観察-3-GaAs(001)面上のGa及びGe(001)面上のGeの表面拡散 (超格子素子基礎技術) -- (極薄膜ヘテロ界面の構造と特性評価)
- RHEED振動による蒸発,薄膜融解及び表面拡散の観察-2-RHEED強度振動によるGa(Al)へのAs取り込み結晶成長とAlの薄膜融解 (超格子素子基礎技術) -- (極薄膜ヘテロ界面の構造と特性評価)
- RHEED振動による蒸発,薄膜融解及び表面拡散の観察-1-GaAs,AlGaAsにおける単分子層蒸発及び選択蒸発 (超格子素子基礎技術) -- (極薄膜ヘテロ界面の構造と特性評価)
- GaAsのPLE (超格子素子基礎技術) -- (単原子層精度の結晶成長技術--位相制御エピタキシ-(PLE)法)
- 超格子素子を求めて
- 29p-BD-9 MgをドープしたIn_2O_3単結晶のラマンスペクトル(29p BD イオン結晶・光物性(磁性体,ラマン散乱,有機物))