太田 公広 | 電総研

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著作論文

• As取り込みのRHEED振動と表面融解
• 8p-H-5 III-V化合物の相図式
• GaAsの役割と次世代電子工業 (21世紀へ向けての新金属工業)
• 超格子材料の新潮流
• 超高速半導体回路の電気光学サンプリング技術 (超短光パルスとその応用)
• 電気光学サンプリング法の開発 (超格子素子基礎技術) -- (新超格子デバイスの開発--2端子素子・3端子素子)
• 砒素パッシベ-ション (超格子素子基礎技術) -- (極薄膜ヘテロ界面の構造と特性評価)
• RHEED振動による蒸発,薄膜融解及び表面拡散の観察-3-GaAs(001)面上のGa及びGe(001)面上のGeの表面拡散 (超格子素子基礎技術) -- (極薄膜ヘテロ界面の構造と特性評価)
• RHEED振動による蒸発,薄膜融解及び表面拡散の観察-2-RHEED強度振動によるGa(Al)へのAs取り込み結晶成長とAlの薄膜融解 (超格子素子基礎技術) -- (極薄膜ヘテロ界面の構造と特性評価)
• RHEED振動による蒸発,薄膜融解及び表面拡散の観察-1-GaAs,AlGaAsにおける単分子層蒸発及び選択蒸発 (超格子素子基礎技術) -- (極薄膜ヘテロ界面の構造と特性評価)
• GaAsのPLE (超格子素子基礎技術) -- (単原子層精度の結晶成長技術--位相制御エピタキシ-(PLE)法)
• 超格子素子を求めて
• 29p-BD-9 MgをドープしたIn_2O_3単結晶のラマンスペクトル(29p BD イオン結晶・光物性(磁性体,ラマン散乱,有機物))

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