6a-KL-3 GaAsのガンドメインを用いた光変調
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1974-03-20
著者
関連論文
- 6p-A2-5 三重障壁ダイオードの2つの量子井戸間の電子トンネリングに対する垂直磁場の効果
- 6p-A2-4 三重障壁ダイ・オードの2つの量子井戸間の電子トンネリングに対する平行磁場の効果
- 28p-A-1 AlGaAs/GaAs三重障壁構造の共鳴トンネル効果
- RHEED振動によるGaAs上のGaのAs取り込み速度 : エピタキシーI
- 24a-G-19 P-INSB注入プラズマのヘリカル振動
- 7a-F-16 MAGNETIC PINCH OSCILLATION の分散関係
- 2a-TC-18 n-InSbのContinaors,Coherent Oscillation(II)
- 16a-A-5 n-InSbのContinuous Coherent Oscillation
- InSbプラズマ ピンチ速度 II : 半導体 (プラズマ)
- InSbプラズマ ピンチ速度の測定 : 半導体(不安定性)
- 4a-H-3 InSbアバランシェプラズマ中のHole Wave Instabilities
- 15a-K-4 InSbマイクロ波輻射雑音スペクトラム
- 7p-G-5 InSbのマイクロ波輻射角度依存性
- 走行高電界ドメイン電流振動に及ぼす誘電体の影響 : 半導体シンポジウム : GaAsバルク効果素子
- 31a GE-2 a-AsSe系の光電子分光
- 13a-PS-31 GaAs-AlAs超格子のEELS/Raman複合計測
- RHEED振動でみるGaAs(001)面微傾斜上におけるAs取り込み成長 : エピタキシーI
- 8p-H-5 III-V化合物の相図式
- 結晶工学
- 6a-KL-3 GaAsのガンドメインを用いた光変調
- マイクロプラズマ降服のAfter effect : 半導体 : ダイオード
- マイクロプラズマのトリガー機構 : 応用半導体
- 7p-B-9 Electric and Magnetic Field Dependences of Electron Mobility in n-InSb at 77°K