横山 直樹 | 富士通株式会社

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概要

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• 横山 直樹

  富士通株式会社

• 横山 直樹

  (株)富士通研究所

• 粟野 祐二

  富士通研

• 粟野 祐二

  富士通株式会社

• 横山 直樹

  ナノテクノロジー研究センター株式会社富士通研究所

• 粟野 祐二

  (株)富士通研究所

• 杉山 芳弘

  富士通株式会社

• 佐久間 芳樹

  富士通株式会社

• 武藤 俊一

  北海道大学工学部

• 武藤 俊一

  北海道大学大学院工学研究科

• 武藤 俊一

  北海道大学 大学院工学研究科 量子物理工学専攻

• 二木 俊郎

  株式会社富士通研究所

• 二木 俊郎

  富士通株式会社

• 島 昌司

  富士通株式会社

• 堀口 直人

  (株)富士通研究所

• 中田 義昭

  (株)富士通研究所

• 堀口 直人

  株式会社富士通研究所

• 中田 義昭

  (株)富士通研究所:(株)qdレーザ

• 中田 義昭

  富士通研究所

• 横山 直樹

  富士通

• 吉田 晃

  超伝導工学研究所

• 原田 直樹

  富士通株式会社

• 吉田 晃

  富士通株式会社

• 横山 直樹

  株式会社富士通研究所ナノエレクトロニクス研究センター:(現)産業技術総合研究所連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター

• 波頭 経裕

  (財)国際超電導産業技術研究センター超電導工学研究所

• 山口 正臣

  富士通株式会社

• 山口 正臣

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• 波頭 経裕

  富士通株式会社

• 波頭 経裕

  (財)国際超伝導産業技術研究センター超伝導工学研究所

• 鈴木 秀雄

  超電導工学研究所

• 原田 直樹

  (株)富士通研究所

• 原田 直樹

  富士通(株):jst-crest

• 森 俊彦

  株式会社富士通研究所

• 森 俊彦

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• 武藤 俊一

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• 森 俊彦

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• 鈴木 秀雄

  国際超電導産業技術研究センター

• 吉田 晃

  超電導工学研究所

• 彦坂 康己

  富士通株式会社

• Wirner C.

  富士通株式会社

• Strutz T.

  富士通株式会社

• Wirner C.

  Fujitsu Ltd.

• 鈴木 秀雄

  財)国際超電導産業技術研究センター

• 阿曽 弘之

  富士通研究所

• 鈴木 秀雄

  富士通株式会社

• 原田 直樹

  株式会社富士通研究所ナノエレクトロニクス研究センター:(現)産業技術総合研究所連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター

• 森 俊彦

  富士通

• 吉田 親子

  富士通研

• 吉田 親子

  (株)富士通研究所

• 阪東 寛

  産総研

• 阪東 寛

  電子技術総合研究所

• 関口 隆史

  物質・材料研究機構

• 中川 格

  電子技術総合研究所

• 中川 格

  電総研

• 中尾 宏

  (株)富士通研究所

• 中尾 宏

  富士通株式会社

• 高津 求

  富士通株式会社

• 石丸 喜康

  超電導工学研究所

• 関口 隆史

  東北大金研

• 関口 隆史

  独立行政法人 物質・材料研究機構

• 関口 隆史

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• 関口 隆史

  物材研

• 武藤 俊一

  北大

• クリストフ ウィルナー

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• 中村 智

  富士通株式会社

• 稲田 嗣夫

  富士通株式会社

• 田村 泰孝

  富士通株式会社

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  東北大理

• 関口 隆史

  金属材料研究所

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  物質・材料研究機構ナノマテリアル研究所

• 高津 求

  株式会社富士通研究所

• 足立原 孝実

  富士通株式会社

• 石丸 喜康

  富士通株式会社

• 吉田 親子

  富士通研究所

• 吉田 親子

  富士通株式会社

• 阿曽 広之

  (株)富士通研究所

• 阪東 寛

  産業技術総合研

• 石丸 喜康

  (財)国際超伝導産業技術研究センター超伝導工学研究所

• 関口 隆史

  物質・材料研究機構半導体材料センター

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著作論文

• 量子化機能素子のためのAs-Grownナノ構造の作成
• 自己形成InAs量子ドットのホールバーニングメモリ応用
• 自己形成InAsも量子ドットの光電流ホールバーニングの観測
• 自己形成InAs量子ドットの光電流ホールバーニングの観測
• InGaAs/GaAs正四面体溝(TSR)量子ドット作製技術
• 量子箱におけるフォノン散乱抑制への期待
• (111)B GaAs基板上の正四面体溝にMOVPE成長した量子ドット構造
• ダブルエミッタRHET構造を有するSRAMセル
• 単一量子ドットフローティングゲートメモリによる高感度蓄積電荷検出および蓄積電荷数制御
• 正四面体溝量子ドットを用いた単一量子ドットメモリとその電荷数制御多値メモリ動作
• 正四面体溝量子ドットを用いた単一量子ドットメモリとその電界数制御多値メモリ動作
• SC-9-3 量子ドットのメモリ応用 : 単一量子ドットメモリとSK量子ドットメモリ
• VI. 半導体人工格子, 量子ドット 加工基板上に成長した半導体量子ドット
• ジョセフソン-半導体インターフェイス回路のための低温HEMT増幅器
• 磁場閉じ込めおよび正四面体溝を利用した量子ドット共鳴トンネル素子
• 自己組織化によるGaAs正四面体溝内のInGaAs積層量子ドット形成
• 低温HEMTを用いたジョセフソン-半導体インターフェイス回路
• SC-5-6 SFQ出力インターフェイスの高速測定
• SFQ/半導体インターフェイスのためのラッチ型ドライバ
• 強誘電体をゲート絶縁膜に用いた誘電体ベーストランジスタ
• 誘電体ベーストランジスタを用いた強誘電体メモリセル
• 自己形成InAs量子ドットのホールバーニングメモリ応用
• 自己形成InAs量子ドットのホールバーニングメモリ応用

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