原田 直樹 | (株)富士通研究所
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概要
関連著者
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原田 直樹
(株)富士通研究所
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原田 直樹
株式会社富士通研究所ナノエレクトロニクス研究センター:(現)産業技術総合研究所連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター
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横山 直樹
富士通
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横山 直樹
株式会社富士通研究所ナノエレクトロニクス研究センター:(現)産業技術総合研究所連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター
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佐藤 信太郎
株式会社富士通研究所ナノエレクトロニクス研究センター:(現)産業技術総合研究所連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター
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近藤 大雄
株式会社富士通研究所ナノエレクトロニクス研究センター
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原田 直樹
富士通研究所 ナノエレクトロニクス研究セ
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横山 直樹
神戸大学小児科
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横山 直樹
(株)富士通研究所
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吉田 晃
超伝導工学研究所
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吉田 晃
富士通株式会社
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横山 直樹
岡山大学大学院工学研究科
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横山 直樹
神戸大学医学部附属病院周産母子センター
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吉川 信行
横浜国立大学大学院工学府
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原田 直樹
富士通(株):jst-crest
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萬 伸一
超電導工学研究所
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萬 伸一
Nec基礎・環境研究所
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山城 洋
横浜国立大学大学院工学府
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藤原 完
横浜国立大学大学院工学府
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山城 洋
横浜国立大学
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藤原 完
超電導工学研
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吉川 信行
横浜国立大学 工学部 電子情報工学科
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八木 克典
株式会社富士通研究所ナノエレクトロニクス研究センター:(現)産業技術総合研究所連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター
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野中 聡
旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座
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横山 直樹
富士通株式会社
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波頭 経裕
(財)国際超電導産業技術研究センター超電導工学研究所
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原田 直樹
富士通株式会社
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萬 伸一
超伝導工学研究所
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藤原 完
超電導工学研究所:日本学術振興会
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波頭 経裕
(財)国際超伝導産業技術研究センター超伝導工学研究所
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野中 源一郎
九州大学薬学部
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野中 薫雄
琉球大学医学部器官病態医科学講座皮膚科
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横山 直樹
富士通研究所
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平野 悟
超電導工学研究所
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佐藤 信太郎
株式会社富士通研究所ナノエレクトロニクス研究センター
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八木 克典
株式会社富士通研究所ナノエレクトロニクス研究センター
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原田 直樹
株式会社富士通研究所ナノエレクトロニクス研究センター
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横山 直樹
株式会社富士通研究所ナノエレクトロニクス研究センター
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平野 悟
超伝導工学研究所
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波頭 経裕
富士通
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吉田 晃
富士通
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波頭 経裕
富士通株式会社
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八木 克典
(株)富士通研究所ナノエレクトロニクス研究センター
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佐藤 信太郎
(株)富士通研究所ナノエレクトロニクス研究センター
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佐藤 信太郎
富士通研究所ナノテクノロジー研究センター
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近藤 大雄
富士通研究所ナノエレクトロニクス研究センター
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佐藤 信太郎
富士通研究所ナノエレクトロニクス研究センター
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八木 克典
富士通研究所ナノエレクトロニクス研究センター
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原田 直樹
産総研連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター(gnc)
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佐藤 信太郎
産総研連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター(gnc)
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横山 直樹
産総研連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター(GNC)
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横山 直樹
株式会社富士通研究所
著作論文
- 化学気相成長法によるグラフェンの合成とトランジスタへの応用(グラフェンの成長と応用)
- 新しいナノエレクトロニクス材料・グラフェン (特集 我が国基礎・基盤研究の現状--富士通研究所)
- SFQ/半導体出力インターフェースシステムの最適化とビットエラーレートの評価(デバイス・一般)
- C-8-15 SFQ システム用ラッチ型 Josephson ドライバの BER の評価
- C-8-14 SFQ システム用ラッチ型 Josephson ドライバの高速性と BER の評価
- 高温および低温超電導SFQインターフェイス
- SC-5-6 SFQ出力インターフェイスの高速測定
- SFQ/半導体インターフェイスのためのラッチ型ドライバ
- C-10-12 極性制御可能なグラフェンインバータ(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 明日を変える!注目のマテリアル 「ポストSi」トランジスタ素材への期待が膨らむ 新しいナノエレクトロニクス材料「グラフェン」
- 新しいナノエレクトロニクス材料グラフェン (特集 研究開発最前線)
- グラフェンのCVD合成と転写プロセスを用いないトランジスタ形成法の開発
- C-10-1 単層グラフェン中の電子速度シミュレーション(C-10.電子デバイス,一般セッション)