原田 直樹 | 富士通研究所 ナノエレクトロニクス研究セ
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概要
関連著者
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原田 直樹
富士通研究所 ナノエレクトロニクス研究セ
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原田 直樹
(株)富士通研究所
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原田 直樹
株式会社富士通研究所ナノエレクトロニクス研究センター:(現)産業技術総合研究所連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター
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佐藤 信太郎
株式会社富士通研究所ナノエレクトロニクス研究センター:(現)産業技術総合研究所連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター
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近藤 大雄
株式会社富士通研究所ナノエレクトロニクス研究センター
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横山 直樹
神戸大学小児科
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横山 直樹
(株)富士通研究所
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横山 直樹
富士通
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横山 直樹
岡山大学大学院工学研究科
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横山 直樹
株式会社富士通研究所ナノエレクトロニクス研究センター:(現)産業技術総合研究所連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター
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八木 克典
株式会社富士通研究所ナノエレクトロニクス研究センター:(現)産業技術総合研究所連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター
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横山 直樹
神戸大学医学部附属病院周産母子センター
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横山 直樹
富士通研究所
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斎藤 民雄
東芝
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斉藤 民雄
東芝
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大橋 洋二
株式会社富士通研究所
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原田 直樹
株式会社富士通研究所ナノエレクトロニクス研究センター
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大橋 洋二
富士通株式会社
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八木 克典
(株)富士通研究所ナノエレクトロニクス研究センター
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佐藤 信太郎
(株)富士通研究所ナノエレクトロニクス研究センター
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及川 秀幸
株式会社富士通研究所
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佐藤 信太郎
富士通研究所ナノテクノロジー研究センター
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斎藤 民雄
株式会社ミリウェイブ
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彦坂 康己
株式会社富士通研究所
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及川 秀幸
富士通東日本ディジタルテクノロジ
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近藤 大雄
富士通研究所ナノエレクトロニクス研究センター
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佐藤 信太郎
富士通研究所ナノエレクトロニクス研究センター
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八木 克典
富士通研究所ナノエレクトロニクス研究センター
著作論文
- 新しいナノエレクトロニクス材料・グラフェン (特集 我が国基礎・基盤研究の現状--富士通研究所)
- C-10-12 極性制御可能なグラフェンインバータ(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- ミリ波帯0.1μmゲートInGaP/InGaAs HEMT
- 明日を変える!注目のマテリアル 「ポストSi」トランジスタ素材への期待が膨らむ 新しいナノエレクトロニクス材料「グラフェン」
- 新しいナノエレクトロニクス材料グラフェン (特集 研究開発最前線)
- 高性能ジョセフソン素子と半導体インタフェース (特集 超電導特集) -- (ジョセフソン素子ハイブリツドシステムの技術開発)
- グラフェンのCVD合成と転写プロセスを用いないトランジスタ形成法の開発