佐藤 信太郎 | 株式会社富士通研究所ナノエレクトロニクス研究センター:(現)産業技術総合研究所連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター

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概要

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• 佐藤 信太郎

  株式会社富士通研究所ナノエレクトロニクス研究センター:(現)産業技術総合研究所連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター

• 原田 直樹

  (株)富士通研究所

• 原田 直樹

  株式会社富士通研究所ナノエレクトロニクス研究センター:(現)産業技術総合研究所連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター

• 近藤 大雄

  株式会社富士通研究所ナノエレクトロニクス研究センター

• 原田 直樹

  富士通研究所 ナノエレクトロニクス研究セ

• 横山 直樹

  神戸大学小児科

• 横山 直樹

  (株)富士通研究所

• 横山 直樹

  富士通

• 横山 直樹

  岡山大学大学院工学研究科

• 横山 直樹

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• 横山 直樹

  神戸大学医学部附属病院周産母子センター

• 八木 克典

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• 野中 聡

  旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座

• 横山 直樹

  富士通研究所

• 佐藤 信太郎

  株式会社富士通研究所ナノエレクトロニクス研究センター

• 八木 克典

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  (株)富士通研究所ナノエレクトロニクス研究センター

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  富士通研究所ナノテクノロジー研究センター

• 近藤 大雄

  富士通研究所ナノエレクトロニクス研究センター

• 佐藤 信太郎

  富士通研究所ナノエレクトロニクス研究センター

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  産総研連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター(gnc)

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著作論文

• 化学気相成長法によるグラフェンの合成とトランジスタへの応用(グラフェンの成長と応用)
• 新しいナノエレクトロニクス材料・グラフェン (特集 我が国基礎・基盤研究の現状--富士通研究所)
• C-10-12 極性制御可能なグラフェンインバータ(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• 明日を変える!注目のマテリアル 「ポストSi」トランジスタ素材への期待が膨らむ 新しいナノエレクトロニクス材料「グラフェン」
• 新しいナノエレクトロニクス材料グラフェン (特集 研究開発最前線)
• グラフェンの低温合成と転写プロセス不要なトランジスタ作製法の開発
• グラフェンのCVD合成と転写プロセスを用いないトランジスタ形成法の開発
• C-10-1 単層グラフェン中の電子速度シミュレーション(C-10.電子デバイス,一般セッション)

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