グラフェンの低温合成と転写プロセス不要なトランジスタ作製法の開発
スポンサーリンク
概要
著者
-
近藤 大雄
株式会社富士通研究所ナノエレクトロニクス研究センター
-
佐藤 信太郎
株式会社富士通研究所ナノエレクトロニクス研究センター:(現)産業技術総合研究所連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター
関連論文
- 化学気相成長法によるグラフェンの合成とトランジスタへの応用(グラフェンの成長と応用)
- 新しいナノエレクトロニクス材料・グラフェン (特集 我が国基礎・基盤研究の現状--富士通研究所)
- C-10-12 極性制御可能なグラフェンインバータ(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-2-43 カーボンナノチューブを用いた微細インダクタ(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
- 新規ナノカーボン複合構造体--自己組織的に形成された多層グラフェンと配向カーボンナノチューブの複合構造の解明 (特集 第23回テクノフェスタ)
- 金属ナノ粒子からのカーボンナノチューブ成長
- チタン・コバルト二元系微粒子からのカーボンナノチューブ成長
- ナノバイオ分子単体を用いた多層カーボンナノチューブの直径制御 (特集/第19回テクノフェスタ)
- 明日を変える!注目のマテリアル 「ポストSi」トランジスタ素材への期待が膨らむ 新しいナノエレクトロニクス材料「グラフェン」
- 新しいナノエレクトロニクス材料グラフェン (特集 研究開発最前線)
- グラフェンの低温合成と転写プロセス不要なトランジスタ作製法の開発
- グラフェンのCVD合成と転写プロセスを用いないトランジスタ形成法の開発
- C-10-1 単層グラフェン中の電子速度シミュレーション(C-10.電子デバイス,一般セッション)