彦坂 康己 | 富士通株式会社
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概要
関連著者
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彦坂 康己
富士通株式会社
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松井 敏明
独立行政法人情報通信研究機構先端ictデバイスグループ
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山下 良美
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
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彦坂 康己
富士通研究所
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冷水 佐壽
大阪大学大学院基礎工学研究科
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冷水 佐壽
大阪大学大学院基礎工学研究科:(現)奈良高等工業専門学校
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松井 敏明
情報通信研究機構ミリ波デバイスグループ
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篠原 啓介
情報通信研究機構
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山下 良美
富士通株式会社
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三村 高志
富士通株式会社
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冷水 佐壽
大阪大学基礎工学部
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篠原 啓介
情報通信研究機構:(現)hrl Laboratories Llc
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三村 高志
(株)富士通研究所
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遠藤 聡
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
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広瀬 信光
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
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広瀬 信光
郵政省通信総合研究所
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松井 敏明
郵政省通信総合研究所
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松井 敏明
通信総合研究所
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篠原 啓介
通信総合研究所 無線通信部門 ミリ波デバイスG
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東脇 正高
独立行政法人情報通信研究機構
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遠藤 聡
富士通株式会社
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篠原 啓介
郵政省通信総合研究所
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東脇 正高
郵政省通信総合研究所
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東脇 正高
カリフォルニア大 サンタバーバラ校
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篠原 啓介
通信総合研究所
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原田 直樹
富士通(株):jst-crest
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横山 直樹
(株)富士通研究所
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横山 直樹
富士通株式会社
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粟野 祐二
富士通研
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粟野 祐二
富士通株式会社
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横山 直樹
ナノテクノロジー研究センター株式会社富士通研究所
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粟野 祐二
(株)富士通研究所
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山口 正臣
富士通株式会社
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原田 直樹
富士通株式会社
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山口 正臣
富士通研究所
著作論文
- ジョセフソン-半導体インターフェイス回路のための低温HEMT増幅器
- 低温HEMTを用いたジョセフソン-半導体インターフェイス回路
- 超高速InP-HEMTにおけるゲートリセス構造の影響 : 非対称リセス構造の作製と特性評価
- 超高速InP-HEMTにおけるゲートリセス構造の影響 : 非対称リセス構造の作製と特性評価
- 超高速InP-HEMTにおけるゲートリセス構造の影響 : 非対称リセス構造の作製と特性評価
- 微細T型ゲートを有するサブミリ波InP-HEMTの作製 : 微細T型ゲート加工条件の最適化
- 微細T型ゲートを有するサブミリ波InP-HEMTの作製 : 微細T型ゲート加工条件の最適化
- 微細T型ゲートを有するサブミリ波InP-HEMTの作製 : 微細T型ゲート加工条件の最適化