超高速InP-HEMTにおけるゲートリセス構造の影響 : 非対称リセス構造の作製と特性評価
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概要
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微細ゲートを有するInP-HEMTはサブミリ波帯での動作が可能であり、将来のミリ波・サブミリ波通信のキーデバイスとして期待されている。本研究では、InP-HEMTの高周波特性に与えるゲートリセス構造の影響を調べるために、ゲートのソース側とドレイン側のサイドリセス量をそれぞれ独立に精度良くコントロールできる非対称リセス構造の作製技術を開発し、作製した素子の特性評価を行った。試作したゲート長60nmの歪みInGaAs/InAlAs HEMTにおいて、ソース測のサイドリセス量を小さく(80nm)し、ドレイン側のサイドリセス量を大きく(190nm)することによって、最大発振周波数(fmax)が503GHzまで向上することが分かった。これは主にドレインコンダクタンス(gd)とゲート-ドレイン間容量(Cgd)の減少によるものであり、ドレイン側のリセス量の増加に伴って、ゲートのドレイン端の空乏層が拡がり、その領域の電界が緩和したことを示唆している。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-01-09
著者
-
松井 敏明
独立行政法人情報通信研究機構先端ictデバイスグループ
-
遠藤 聡
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
-
山下 良美
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
-
三村 高志
(株)富士通研究所
-
松井 敏明
通信総合研究所
-
篠原 啓介
通信総合研究所 無線通信部門 ミリ波デバイスG
-
彦坂 康己
富士通研究所
-
冷水 佐壽
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
冷水 佐壽
大阪大学大学院基礎工学研究科:(現)奈良高等工業専門学校
-
彦坂 康己
富士通株式会社
-
松井 敏明
情報通信研究機構ミリ波デバイスグループ
-
篠原 啓介
情報通信研究機構
-
山下 良美
富士通株式会社
-
遠藤 聡
富士通株式会社
-
三村 高志
富士通株式会社
-
冷水 佐壽
大阪大学基礎工学部
-
篠原 啓介
情報通信研究機構:(現)hrl Laboratories Llc
-
篠原 啓介
通信総合研究所
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