篠原 啓介 | 情報通信研究機構:(現)hrl Laboratories Llc
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概要
関連著者
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篠原 啓介
情報通信研究機構
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篠原 啓介
情報通信研究機構:(現)hrl Laboratories Llc
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松井 敏明
独立行政法人情報通信研究機構先端ictデバイスグループ
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松井 敏明
情報通信研究機構ミリ波デバイスグループ
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冷水 佐壽
大阪大学大学院基礎工学研究科
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冷水 佐壽
大阪大学大学院基礎工学研究科:(現)奈良高等工業専門学校
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山下 良美
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
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三村 高志
(株)富士通研究所
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遠藤 聡
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
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彦坂 康己
富士通研究所
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松井 敏明
通信総合研究所
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篠原 啓介
通信総合研究所 無線通信部門 ミリ波デバイスG
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篠原 啓介
通信総合研究所
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渡邊 一世
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
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遠藤 聡
富士通研究所
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山下 良美
富士通研究所
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三村 高志
富士通研究所
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東脇 正高
独立行政法人情報通信研究機構
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東脇 正高
カリフォルニア大 サンタバーバラ校
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広瀬 信光
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
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下村 哲
大阪大学大学院基礎工学研究科:(現)愛媛大学
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松井 敏明
情報通信研究機構
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彦坂 康己
富士通株式会社
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渡邊 一世
情報通信研究機構
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山下 良美
富士通株式会社
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三村 高志
富士通株式会社
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冷水 佐壽
大阪大学基礎工学部
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下村 哲
大阪大学大学院基礎工学研究科
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松井 敏明
(独)情報通信研究機構
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松井 敏明
独立行政法人 情報通信研究機構
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北田 貴弘
大阪大学大学院基礎工学研究科:(現)徳島大学
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李 可人
(独)情報通信研究機構
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李 可人
通信総合研究所
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広瀬 信光
郵政省通信総合研究所
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松井 敏明
郵政省通信総合研究所
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清川 雅博
通信総合研究所 無線通信部門 ミリ波デバイスG
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東脇 正高
通信総合研究所 無線通信部門 ミリ波デバイスG
-
村田 正望
通信総合研究所 無線通信部門 ミリ波デバイスG
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安田 浩朗
通信総合研究所 無線通信部門 ミリ波デバイスG
-
広瀬 信光
通信総合研究所 無線通信部門 ミリ波デバイスG
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遠藤 聡
富士通株式会社
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篠原 啓介
郵政省通信総合研究所
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東脇 正高
郵政省通信総合研究所
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北田 貴弘
大阪大学大学院基礎工学研究科
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下村 哲
阪大基礎工
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冷水 佐壽
阪大基礎工
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渡邊 一世
大阪大学大学院基礎工学研究科
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篠原 啓介
阪大基礎工
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清水 靖之
阪大基礎工
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下村 哲
阪大院基礎工
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冷水 佐壽
阪大院基礎工
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遠藤 聡
情報通信研究機構
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三村 高志
情報通信研究機構
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遠藤 聡
富土通研究所
-
山下 良美
富土通研究所
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彦坂 康己
富土通研究所
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三村 高志
富土通研究所
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平岡 徹也
阪大院基礎工
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北田 貴弘
阪大院基礎工
-
笠原 健司
阪大基礎工
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篠原 啓介
阪大院基礎工
-
安立 明
日新電気
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Kiehl R
スタンフォード大
著作論文
- ミリ波通信システムの技術動向と要素技術
- InAlAs/In_Ga_As系HEMTの極低温下における超高速動作(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- ミリ波通信システムの技術動向と要素技術
- ミリ波通信システムの技術動向と要素技術
- 超高速InP HEMT-500GHzレベルf_T, f_(テラヘルツ帯応用を開拓する材料・デバイス・システム技術)
- 超高速InP HEMT - 500GHzレベルf_T, f_
- [Invited]InP系HEMTの超高速化技術 : サイドリセス構造最適化および寄生抵抗低減の効果(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
- [Invited]InP系HEMTの超高速化技術 : サイドリセス構造最適化および寄生抵抗低減の効果(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
- 極微細ゲートInP系HEMTの超高速化技術
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- 超高速InP-HEMTにおけるゲートリセス構造の影響 : 非対称リセス構造の作製と特性評価
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- 微細T型ゲートを有するサブミリ波InP-HEMTの作製 : 微細T型ゲート加工条件の最適化
- 微細T型ゲートを有するサブミリ波InP-HEMTの作製 : 微細T型ゲート加工条件の最適化
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- InP系HEMTのデバイス特性における界面平坦性の影響 : (411)A面方位基板による界面ラフネス散乱の抑制(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- InP系HEMTのデバイス特性における界面平坦性の影響 : (411)A面方位基板による界面ラフネス散乱の抑制(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- InP系HEMTのデバイス特性における界面平坦性の影響 : (411)A面方位基板による界面ラフネス散乱の抑制(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- ナノゲートトランジスタ--世界最高速InP-HEMT (光COE特集)
- 超高速トランジスタの研究開発--サブミリ波帯インジウム・リン系HEMT (第99回 独立行政法人化と最新の研究成果)
- 23aK-12 (411)A超平坦ヘテロ界面を有するGaAs/AlGaAs三重障壁共鳴トンネルダイオードの強磁場中での電流-電圧特性
- ミリ波半導体デバイス研究計画 (横須賀無線通信研究センター特集) -- (ミリ波デバイス)
- 5a-E-8 (411)A 超平坦ヘテロ界面をゆするGaAs/AlAs共鳴トンネルダイオード
- 31a-R-3 (411)A 超平坦ヘテロ界面を有するBe変調ドープGaAs/Al_Ga_As量子井戸構造における2次元正孔ガスの移動度の改善