23aK-12 (411)A超平坦ヘテロ界面を有するGaAs/AlGaAs三重障壁共鳴トンネルダイオードの強磁場中での電流-電圧特性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 2000-03-10
著者
-
下村 哲
大阪大学大学院基礎工学研究科:(現)愛媛大学
-
下村 哲
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
冷水 佐壽
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
冷水 佐壽
大阪大学大学院基礎工学研究科:(現)奈良高等工業専門学校
-
下村 哲
阪大院基礎工
-
冷水 佐壽
阪大院基礎工
-
篠原 啓介
情報通信研究機構
-
篠原 啓介
情報通信研究機構:(現)hrl Laboratories Llc
-
平岡 徹也
阪大院基礎工
-
北田 貴弘
阪大院基礎工
-
篠原 啓介
阪大院基礎工
-
北田 貴弘
大阪大学大学院基礎工学研究科:(現)徳島大学
関連論文
- ミリ波通信システムの技術動向と要素技術
- 極微細ゲートGaN系HEMTの作製とそのショットキー特性の改善(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 27pTC-11 量子ホール状態における二層二次元電子系の磁気電気容量
- 23pSA-11 二層二次元電子系の磁気電気容量
- InAlAs/In_Ga_As系HEMTの極低温下における超高速動作(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- ミリ波通信システムの技術動向と要素技術
- ミリ波通信システムの技術動向と要素技術
- 5a-E-6 (775)B GaAs基板上のMBE成長した高密度GaAs量子細線の時間分解フォトルミネッセンス測定
- 超高速InP HEMT-500GHzレベルf_T, f_(テラヘルツ帯応用を開拓する材料・デバイス・システム技術)
- 超高速InP HEMT - 500GHzレベルf_T, f_
- 極微細ゲートGaN系HEMTの作製とそのショットキー特性の改善(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- [Invited]InP系HEMTの超高速化技術 : サイドリセス構造最適化および寄生抵抗低減の効果(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
- [Invited]InP系HEMTの超高速化技術 : サイドリセス構造最適化および寄生抵抗低減の効果(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
- 極微細ゲートInP系HEMTの超高速化技術
- 極微細ゲートInP系HEMTの超高速化技術
- 超高速InP-HEMTにおけるゲートリセス構造の影響 : 非対称リセス構造の作製と特性評価
- 超高速InP-HEMTにおけるゲートリセス構造の影響 : 非対称リセス構造の作製と特性評価
- 超高速InP-HEMTにおけるゲートリセス構造の影響 : 非対称リセス構造の作製と特性評価
- 微細T型ゲートを有するサブミリ波InP-HEMTの作製 : 微細T型ゲート加工条件の最適化
- 微細T型ゲートを有するサブミリ波InP-HEMTの作製 : 微細T型ゲート加工条件の最適化
- 微細T型ゲートを有するサブミリ波InP-HEMTの作製 : 微細T型ゲート加工条件の最適化
- InP系HEMTのデバイス特性における界面平坦性の影響 : (411)A面方位基板による界面ラフネス散乱の抑制(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- InP系HEMTのデバイス特性における界面平坦性の影響 : (411)A面方位基板による界面ラフネス散乱の抑制(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- InP系HEMTのデバイス特性における界面平坦性の影響 : (411)A面方位基板による界面ラフネス散乱の抑制(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- 30a-P-11 (411)AGaAs基板上にMBE成長したGaAs/AlAsヘテロ構造の界面評価
- 30a-P-8 (411)GaAs基板上のAlAsコラゲーション上にMBE成長したGaAs表面のAFM観察
- ナノゲートトランジスタ--世界最高速InP-HEMT (光COE特集)
- 31a-R-12 (775)B GaAs 基板上にMBE成長した自己形成型高密度 GaAs 量子細線の光学的特性
- 歪緩和バリア層に埋め込んだInAs量子ドットをもつGaAs/AlAs多層膜光共振器による面型全光スイッチ
- 歪緩和バリア層に埋め込んだInAs量子ドットをもつGaAs/AlAs多層膜光共振器による面型全光スイッチ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 歪緩和バリア層に埋め込んだInAs量子ドットをもつGaAs/AlAs多層膜光共振器による面型全光スイッチ(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 歪緩和バリア層に埋め込んだInAs量子ドットをもつGaAs/AlAs多層膜光共振器による面型全光スイッチ(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 27aZC-11 (411)Aおよび(100)基板上 GaAs/AlGaAs量子井戸からの磁気発光スペクトルII(量子井戸・超格子,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 20aYC-1 超短周期平面超格子の量子ホールプラトー間遷移における温度スケーリング(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 17pYG-11 短周期ポテンシャル変調による量子ホール系のスピンギャップの抑制
- 28aYS-6 短周期1次元平面超格子中の2次元電子系における磁気抵抗ゆらぎ
- 超高速トランジスタの研究開発--サブミリ波帯インジウム・リン系HEMT (第99回 独立行政法人化と最新の研究成果)
- MBEによる高指数へテロ界面の形成と素子応用
- 高電子移動度トランジスタ(HEMT) : n-AlGaAs/GaAsヘテロ接合を用いた新しい電界効果トランジスタ
- 14pYC-8 GaAs/AlGaAs 量子井戸からの磁気発光スペクトル (411) A および (100) 基板上(量子井戸・超格子 : 輸送現象・光学応答, 領域 4)
- 30pYH-4 GaAs/AlGaAs 量子井戸構造の励起子発光ダイナミクスに対する界面効果
- 30p-ZE-8 斜め磁場における2層2次元電子系のサイクロトロン有効質量
- 25pSB-11 (411)A GaAs/AlGaAs量子ドットの顕微発光励起スペクトル
- 25pD-6 (411)A GaAs基板上GaAs/AlGaAs量子ドットの顕微分光
- 24pL-6 二次元電子系のサイクロトロン共鳴の面内効果
- 20pPSB-9 GaAs/AlGaAsピラミッド型構造におけるカソードルミネッセンス特性(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 24pSB-8 (411)A GaAs/AlGaAs界面の磁気PLによる評価
- 24aT-5 GaAs段差基板上にMBE成長したGaAsPにおけるV族原子の表面マイグレーション
- 24pL-3 (411)A超平坦ヘテロ界面を有するGaAs/AlGaAs変調ドープ量子井戸の磁気PL(2) : 磁場強度依存性とラフネスのフーリエ成分
- 23aK-12 (411)A超平坦ヘテロ界面を有するGaAs/AlGaAs三重障壁共鳴トンネルダイオードの強磁場中での電流-電圧特性
- 25pD-13 (411)A InP基板上にMBE成長したInGaAs/InAlAs三重障壁共鳴トンネルダイオード
- 25pD-9 (411)A超平坦ヘテロ界面を有するGaAs/AlGaAs変調ドープ量子井戸の磁気PL
- ミリ波半導体デバイス研究計画 (横須賀無線通信研究センター特集) -- (ミリ波デバイス)
- 5a-E-8 (411)A 超平坦ヘテロ界面をゆするGaAs/AlAs共鳴トンネルダイオード
- 31a-R-3 (411)A 超平坦ヘテロ界面を有するBe変調ドープGaAs/Al_Ga_As量子井戸構造における2次元正孔ガスの移動度の改善
- 25pPSA-67 リソグラフィ技術によるミクロンサイズDAC用物性測定プローブ開発(低温,領域8ポスターセッション,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- GaSb/InAs Type-II超格子赤外線センサの開発(第9回赤外放射の応用関連学会年会)
- 半導体多層膜結合共振器によるテラヘルツ光発生 (電子デバイス)
- 歪緩和バリア層に埋め込んだEr添加したInAs量子ドットをもつ多層膜光共振器による超高速全光スイッチ(光波センシング,光波制御・検出,光計測,ニューロ,一般)
- 歪緩和バリア層に埋め込んだEr添加したInAs量子ドットをもつ多層膜光共振器による超高速全光スイッチ(光波センシング,光波制御・検出,光計測,ニューロ,一般)
- ED2012-96 半導体多層膜結合共振器によるテラヘルツ光発生(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 24pWE-5 (221)A In GaAs超高均一量子細線のホトルミネッセンス励起スペクトル(24pWE 領域4,領域5合同 量子井戸・細線・ドット・励起子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
- 24pWE-11 (411)A In GaAs変調ドープ量子井戸の磁気ホトルミネッセンスによる界面評価(24pWE 領域4,領域5合同 量子井戸・細線・ドット・励起子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))