歪緩和バリア層に埋め込んだEr添加したInAs量子ドットをもつ多層膜光共振器による超高速全光スイッチ(光波センシング,光波制御・検出,光計測,ニューロ,一般)
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概要
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本研究では、歪緩和InGaAsバリア層に埋め込んだEr添加したInAs量子ドットを共振器層に含むGaAs/AlAs多層膜光共振器を分子線エピタキシー法により作製し、その1.55μm波長帯の超高速光スイッチング特性について報告する。In組成の高い歪緩和InGaAsバリア層に埋め込んだEr添加したInAs量子ドットを共振器層として用い、超高速なキャリア緩和(<数ps)を維持しながら吸収緩和による高い光非線形性を実現した。共振器モードの波長(1.5μm)で時間分解透過率変化測定を行い,超高速光スイッチング特性を調べた。今回作製したEr添加したInAs量子ドット共振器の応答速度は4psと速く、何も添加していないInAs量子ドット共振器の応答速度(12ps)にくらべて大きく改善した。
- 2012-02-24
著者
-
井須 俊郎
徳島大院
-
森田 健
徳島大学大学院ソシオテクノサイエンス研究部フロンティア研究センター
-
北田 貴弘
大阪大学大学院基礎工学研究科:(現)徳島大学
-
井須 俊郎
徳島大学大学院ソシオテクノサイエンス研究部
-
北田 貴弘
徳島大学大学院ソシオテクノサイエンス研究部
-
上山 日向
徳島大学大学院ソシオテクノサイエンス研究部フロンティア研究センター
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