ED2012-96 半導体多層膜結合共振器によるテラヘルツ光発生(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
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概要
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新たな面型テラヘルツ波発生素子として半導体微小共振器を二つ連結した半導体結合共振器構造を提案した。この結合共振器構造では、高い反射率を有するストップバンド内に、周波数差がテラヘルツ帯にある二つの共振器モードを実現できる。従って、二つの共振器モードを同時励起することで、二次非線形光学効果の差周波発生によるテラヘルツ波発生が期待できる。GaAs/AlAs 結合共振器構造の作製と超短パルスレーザ励起による二つの共振器モードの和周波発生・テラヘルツ帯差周波発生について報告する。
- 2012-12-10
著者
-
森田 健
徳島大学大学院ソシオテクノサイエンス研究部フロンティア研究センター
-
北田 貴弘
徳島大学大学院ソシオテクノサイエンス研究部フロンティア研究センター
-
井須 俊郎
徳島大学大学院ソシオテクノサイエンス研究部フロンティア研究センター
-
北田 貴弘
大阪大学大学院基礎工学研究科:(現)徳島大学
-
井須 俊郎
徳島大学大学院ソシオテクノサイエンス研究部
-
北田 貴弘
徳島大学大学院ソシオテクノサイエンス研究部
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