極微細ゲートGaN系HEMTの作製とそのショットキー特性の改善(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
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概要
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極微細ゲートを有するAlGaN/GaN系HEMTを作製し、熱アニールによるショットキー接合の改善を試みた.i-Al_<0.22>Ga_<0.78>N層の厚さが27nmのエピを用いてヽゲート長Lg=25nm迄の素子微細化をはかった.ソース・ドレイン間距離L_<sd>=2μmの場合に、ドレイン電圧V_<ds>=3Vで遮断周波数f_TのL_g依存性を求めたところ、L_g=35nmにてf_Tは最大値102GHzを示した。更に、L_g=35nm の場合においてL_<sd>=1.5μm、V_<ds>=4Vにてf_T=110GHzに達した.またi-Al_<0.25>Ga_<0.75>N層の厚さが10nmのエピを用いて、L_g=120nmのNi/Pt/Au及びMo/Pt/Auゲートのプレーナ型HEMTを作製した。Ni/Pt/Auゲートでは500℃のアニールにより、またMo/Pt/Auゲートではアニール無しで、プレーナ構造をもつエンハンスメント型HEMT動作を初めて実現した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-01-12
著者
-
松井 敏明
独立行政法人情報通信研究機構先端ictデバイスグループ
-
遠藤 聡
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
-
山下 良美
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
-
三村 高志
(株)富士通研究所
-
松井 敏明
通信総合研究所
-
東脇 正高
通信総合研究所 無線通信部門 ミリ波デバイスG
-
池田 圭司
半導体MIRAIプロジェクト, 技術研究組合 超先端電子技術開発機構(MIRAI-ASET)
-
池田 圭司
半導体miraiプロジェクト 技術研究組合 超先端電子技術開発機構(mirai-aset)
-
池田 圭司
富士通研究所
-
遠藤 聡
富士通研究所
-
山下 良美
富士通研究所
-
彦坂 康己
富士通研究所
-
冷水 佐壽
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
三村 高志
富士通研究所
-
冷水 佐壽
大阪大学大学院基礎工学研究科:(現)奈良高等工業専門学校
-
松井 敏明
情報通信研究機構ミリ波デバイスグループ
-
東脇 正高
独立行政法人情報通信研究機構
-
東脇 正高
カリフォルニア大 サンタバーバラ校
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