フォトニックアンテナとその光ファイバ無線通信システムへの応用 (光COE特集)
スポンサーリンク
概要
著者
-
松井 敏明
独立行政法人情報通信研究機構先端ictデバイスグループ
-
李 可人
(独)情報通信研究機構
-
井筒 雅之
(独)情報通信研究機構
-
松井 敏明
情報通信研究機構
-
松井 敏明
情報通信研究機構ミリ波デバイスグループ
関連論文
- 4.ナノスケールInGaAs/InAlAs系HEMTを用いた低雑音・高利得ミリ波帯MMIC(最新のミリ波技術の動向)
- 高周波・高出力AlGaN/GaN系HEMTの作製 (電子デバイス)
- 60GHz帯におけるAlGaN/GaN系HEMTの出力特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- IEEE802.15.3c OFDM PHYにおける変調・誤り訂正方式(移動通信ワークショップ)
- BP-3-8 ミリ波(60GHz)アンテナの設計と動向(BP-3.IEEEで標準化が進むミリ通信システムと技術・装置開発,ソサイエティ企画)
- モンテカルロ計算によるナノゲートInP HEMT中の電子輸送に対するゲートリセス構造の影響(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- BP-3-1 ミリ波(60GHz)標準化(IEEE802.15.3c)動向(BP-3.IEEEで標準化が進むミリ通信システムと技術・装置開発,ソサイエティ企画)
- ミリ波WPAN用広帯域平面アンテナ(移動通信ワークショップ)
- 第31回欧州マイクロ波会議出席報告
- C-2-114 ノッチ付き準ミリ波UWB(Ultra-Wideband)バンドパスフィルタ(C-2. マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
- C-2-71 平行結合型準ミリ波UWBバンドパスフィルタの検討(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般講演)
- テーパスロットを接続したミリ波用H面扇形ポスト壁ホーンアンテナの提案、基礎検討および基礎実験
- リフトオフ法を用いたミリ波薄膜回路部品の精密加工
- A-5-13 UWBパルス信号の無線LANに対する影響の検討(A-5.ワイドバンドシステム,一般講演)
- UWBバンドパスフィルタを用いたUWBパルス発生と整形(マイクロ波回路関連, マイクロ波EMC/一般)
- ブロードサイド結合構造を用いた超広帯域バンドパスフィルタ
- C-2-114 マイクロストリップ-CPWブロードサイド結合構造を用いた超広帯域バンドパスフィルタ(C-2. マイクロ波B(受動デバイス), エレクトロニクス1)
- C-2-113 Dual-Band超広帯域バンドパスフィルタ(C-2. マイクロ波B(受動デバイス), エレクトロニクス1)
- UWBシステムとその装置化における課題
- フォトニックアンテナとその光ファイバ無線通信システムへの応用 (光COE特集)
- SA-3-9 UWB アンテナ特性の周波数領域・時間領域測定
- B-1-244 背面給電共平面パッチアンテナ
- ミリ波通信システムの技術動向と要素技術
- B-1-92 共平面パッチアンテナ
- A・P2000-52 / SAT2000-49 / MW2000-52 セラミック基板を用いたミリ波帯CPWパッチアンテナ
- セラミック基板を用いたミリ波帯CPWパッチアンテナ
- ミリ波サブキャリア光の検波実験
- C-2-139 複数センサを用いた近距離レーダのための基礎実験(C-2. マイクロ波C(マイクロ波・ミリ波応用装置),一般セッション)
- C-2-96 近距離レーダを想定した広帯域反射率測定(C-2.マイクロ波C(マイクロ波・ミリ波応用装置),一般講演)
- 極微細ゲートGaN系HEMTの作製とそのショットキー特性の改善(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- A-17-26 UHF帯車載用狭間隔八木宇田アンテナ配置による干渉低減の一検討(A-17.ITS,一般セッション)
- 720MHz帯適応変調OFDM伝送を用いた制御/ユーザデータ共用車両間通信システム(初めての研究会,鉄道,車々間・路車間通信,リソース制御,スケジューリング,無線通信一般)
- 2006年IEEE MTT-S国際マイクロ波シンポジウム(IMS2006)出席報告(学生研究会,マイクロ波シミュレータ,一般)
- 2005年IEEE MTT-S国際マイクロ波シンポジウム出席報告(一般, 学生研究会/マイクロ波シミュレータ/一般)
- ヨーロッパマイクロ波会議(EuMC'96)出席報告
- C-2-86 2層構造超広帯域バンドパスフィルタ減衰極発生条件に関する検討(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
- CS-2-7 折畳み構造を持つ多層面結合型超広帯域バンドパスフィルタ(CS-2.超広帯域(UWB)フィルタ-その研究開発の最新動向と応用-,シンポジウムセッション)
- CS-2-5 可変ノッチフィルタによるUWBシステム用干渉回避技術の検討(CS-2.超広帯域(UWB)フィルタ-その研究開発の最新動向と応用-,シンポジウムセッション)
- CS-2-1 超広帯域(UWB)バンドパスフィルタ概論(CS-2.超広帯域(UWB)フィルタ-その研究開発の最新動向と応用-,シンポジウムセッション)
- C-2-40 ミリ波帯広帯域平面ハイブリッドカップラー(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
- C-2-54 狭阻止帯域・広周波数可変機能を有するチューナブル帯域阻止フィルタの基礎検討(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
- 電圧制御型可変ノッチフィルタを利用した超広帯域無線システムのための干渉検出・回避方法に関する一検討(企画2:ポスターセッション)
- A-5-13 Tunable Notch Filterを用いたDS-UWBにおける与干渉軽減効果に関する基礎検討(A-5.ワイドバンドシステム,一般セッション)
- C-2-64 ステップインピーダンスオープンスタブ(SIOS)を用いたチューナブル帯域阻止フィルタ(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
- C-2-76 飛び越し結合を用いた2層構造超広帯域バンドパスフィルタ(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
- C-2-96 開放構造を用いたチューナブル帯域阻止フィルタの実現(C-2. マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
- 容量装荷スタブを用いたUWB帯域通過フィルタ及びその小型化(受動回路,マイクロ波論文(大学発))
- バラクタダイオードを用いたUWB無線干渉軽減用チューナブル帯域阻止フィルタの基礎検討(高性能電子機器を支える次世代高密度実装技術と実装材料技術論文)
- 高周波・高出力AlGaN/GaN系HEMTの作製(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- 薄層AlGaN障壁層を用いたミリ波帯短ゲートAlGaN/GaN HFET(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 薄層AlGaN障壁層を用いたミリ波帯短ゲートAlGaN/GaN HFET(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 薄層AlGaN障壁層を用いたミリ波帯短ゲートAlGaN/GaN HFET(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 60GHz帯におけるAlGaN/GaN系HEMTの出力特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 60GHz帯におけるAlGaN/GaN系HEMTの出力特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- CI-1-2 ミリ波帯無線システム技術研究とデバイス技術(依頼シンポジウム,CI-1.高速ミリ波無線通信用デバイス・IC技術の現状と展望,ソサイエティ企画)
- ミリ波集積回路用InP系HEMTの高周波・低雑音特性(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- AlGaN/GaN MIS-HEMTの低温DC・RF特性に関する温度依存性(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- ミリ波集積回路用InP系HEMTの高周波・低雑音特性(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- AlGaN/GaN MIS-HEMTの低温DC・RF特性に関する温度依存性(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- InAlAs/In_Ga_As系HEMTの極低温下における超高速動作(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 無線システム技術とミリ波デバイス研究(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- サブ100nmゲートAlGaN/GaN系MIS-HEMTの極低温特性(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- ミリ波集積回路開発に向けた超高速InP系HEMTの作製(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- ミリ波帯動作に向けたSiGe/Si HEMTの研究(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- ミリ波GaNトランジスタの研究開発(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- ミリ波通信システムの技術動向と要素技術
- ミリ波通信システムの技術動向と要素技術
- C-10-2 ロードプル法で評価した量子バリアバラクダの3逓倍波発生特性
- ミリ波帯通信装置及び試験評価技術の研究 (横須賀無線通信研究センター特集) -- (ミリ波デバイス)
- C-10-18 量子バリアバラクタによる逓倍波の発生
- 超高速InP HEMT-500GHzレベルf_T, f_(テラヘルツ帯応用を開拓する材料・デバイス・システム技術)
- 超高速InP HEMT - 500GHzレベルf_T, f_
- 極微細ゲートGaN系HEMTの作製とそのショットキー特性の改善(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- [Invited]InP系HEMTの超高速化技術 : サイドリセス構造最適化および寄生抵抗低減の効果(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
- [Invited]InP系HEMTの超高速化技術 : サイドリセス構造最適化および寄生抵抗低減の効果(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
- 極微細ゲートInP系HEMTの超高速化技術
- 極微細ゲートInP系HEMTの超高速化技術
- C-10-6 イオン注入S/Dを用いたサブ100nm SiGe-HEMT
- 超高速InP-HEMTにおけるゲートリセス構造の影響 : 非対称リセス構造の作製と特性評価
- 超高速InP-HEMTにおけるゲートリセス構造の影響 : 非対称リセス構造の作製と特性評価
- 超高速InP-HEMTにおけるゲートリセス構造の影響 : 非対称リセス構造の作製と特性評価
- 微細T型ゲートを有するサブミリ波InP-HEMTの作製 : 微細T型ゲート加工条件の最適化
- 微細T型ゲートを有するサブミリ波InP-HEMTの作製 : 微細T型ゲート加工条件の最適化
- 微細T型ゲートを有するサブミリ波InP-HEMTの作製 : 微細T型ゲート加工条件の最適化
- InP系HEMTのデバイス特性における界面平坦性の影響 : (411)A面方位基板による界面ラフネス散乱の抑制(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- InP系HEMTのデバイス特性における界面平坦性の影響 : (411)A面方位基板による界面ラフネス散乱の抑制(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- InP系HEMTのデバイス特性における界面平坦性の影響 : (411)A面方位基板による界面ラフネス散乱の抑制(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- ナノゲートトランジスタ--世界最高速InP-HEMT (光COE特集)
- ミリ波GaNトランジスタの研究開発
- XPSおよびC-V測定によるCat-CVD SiN保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- XPSおよびC-V測定によるCat-CVD SiN保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- XPSおよびC-V測定によるCat-CVD SiN保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- XPSおよびC-V測定による Cat-CVD SiN 保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価
- XPSおよびC-V測定による Cat-CVD SiN 保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価
- CS-9-1 ミリ波帯GaNトランジスタの研究開発(CS-9.実用化が進むGaNデバイスの現状と展望,シンポジウム)
- 40GHz帯誘電体装荷型ガウシアンビーム発振器の光制御
- ミリ波無線システムの動向と要素技術
- UWBバンドパスフィルタを用いたUWBパルス発生と整形(マイクロ波回路関連, マイクロ波EMC/一般)
- ミリ波半導体デバイス研究計画 (横須賀無線通信研究センター特集) -- (ミリ波デバイス)
- セラミック基板を用いたミリ波帯CPWパッチアンテナ