薄層AlGaN障壁層を用いたミリ波帯短ゲートAlGaN/GaN HFET(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
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概要
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AlGaN/GaNへテロ構造電界効果トランジスタの高周波化のために, 高Al組成で非常に薄いAlGaN障壁層を用いることにより, 0.1μm以下のゲート長における短チャネル効果を抑制することに成功した.DCデバイス特性として, 最大ドレイン電流密度1.1-1.2A/mm, 最大相互コンダクタンス305-441mS/mmが得られた.またRF小信号デバイス特性においては, AlGaN障壁層8nm, ゲート長0.06μmにおいて電流利得遮断周波数f_T=163GHz, またゲート長0.08μmにおいて最大発振周波数f_<max>=192GHzの良好な高周波特性を得ることができた.
- 2005-10-06
著者
-
松井 敏明
独立行政法人情報通信研究機構先端ictデバイスグループ
-
東脇 正高
情報通信研究機構
-
松井 敏明
情報通信研究機構
-
松井 敏明
情報通信研究機構ミリ波デバイスグループ
-
小野島 紀夫
情報通信研究機構ミリ波デバイスグループ
-
東脇 正高
独立行政法人情報通信研究機構
-
小野島 紀夫
NICT
-
東脇 正高
カリフォルニア大 サンタバーバラ校
-
小野島 紀夫
情報通信研究機構
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